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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势

*本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/工商业侧储能正以其经济性，电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载带载能力，谐波畸变度等都是其...

2024-08-30 标签：MOSFET SiC 变流器 355 0

GaN和SiC在工业电子领域的优势

提高工业能源效率是制造业关键趋势，聚焦于优化电力电子设备。MOSFET作为主流电子元件，虽控制高效但寿命短、对过载敏感。新材料如氮化镓与碳化硅的出现，通...

2024-08-30 标签：MOSFET SiC GaN 303 0

SiC FET在固态断路器应用中的冲击电流处理能力

固态断路器(SSCB)相比于传统的电机械断路器具有多种优势。基于宽带隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的SSCB可以在许多应用中扩大其...

2024-08-20 标签：固态断路器 SiC 269 0

SiC器件在电源中的应用

SiC（碳化硅）器件在电源中的应用日益广泛，其独特的物理和化学特性使得SiC成为提升电源效率、可靠性及高温、高频性能的关键材料。以下将详细探讨SiC器件...

2024-08-19 标签：电源 SiC 碳化硅 676 0

提升传统基于IGBT模块的电力组件性能的SiC模块

近年来，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成为当前使用IGBT的电力转换器设计师的真正替代方案。到目前为止，大多数SiCMOSFET...

2024-08-19 标签：IGBT SiC IGBT模块 287 0

GaN晶体管和SiC晶体管有什么不同

GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料...

2024-08-15 标签：晶体管 SiC GaN 608 0

DTS技术提高功率模块可靠性方面发挥的关键作用

派恩杰半导体，中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。在新能源汽车、光伏储能、白色家电、...

2024-08-12 标签：半导体功率器件 SiC 702 0

Qorvo在SiC领域的战略布局

SiC领域正在迎来群雄逐鹿的新时代，而射频芯片巨头Qorvo亦在电源应用领域耕耘多年，已占据自己的一席之地。

2024-08-12 标签：半导体 SiC 射频芯片 424 0

CAN SIC收发器助力复杂CAN网络高效可靠通信（2）

SIC的作用机理在CAN总线上，通过CAN_H和CAN_L两根线上的电位差来表示CAN信号。CAN总线上的电位差分为两种：显性电平(DominantVo...

2024-08-09 标签：收发器 CAN 通信 1122 0

SiC 技术相对于 Si 具有不可否认的优势

在逆变器、电机驱动和充电器等应用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷却需求和更低的整体系统成本等优势。尽管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 标签：MTTF SiC GaN 251 0

PCIM2024论文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动

/摘要/400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 标签：MOSFET 电机驱动 SiC 2045 0

碳化硅器件的应用领域和技术挑战

　　碳化硅（SiC）是一种以碳和硅为主要成分的半导体材料，近年来在电子器件领域的应用迅速发展。相比传统的硅材料，碳化硅具有更高的击穿电场、更高的热导率和...

2024-08-07 标签：半导体 SiC 碳化硅 347 0

碳化硅功率器件的优势和分类

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件，主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 457 0

碳化硅晶体的生长原理

碳化硅晶体的生长原理在自然界中，晶体不胜枚举，其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体；此外，半导体晶体、激光晶体、...

2024-08-03 标签：晶体 SiC 衬底 3397 0

国产车规级智能隔离栅极驱动器概述

电机控制器是新能源汽车中的重要组成部分，负责控制电机的运转，而栅极驱动器则是电机控制器中的关键元件之一。今天就给大家推荐一款国产车规级智能隔离栅极驱动器...

2024-08-01 标签：MOSFET SiC 栅极驱动器 526 1

直接液体冷却功率半导体器件的影响

在电力电子领域，面临的挑战是如何在更小的设备中实现更高的功率传输并降低成本。这些目标往往相互矛盾，导致必须做出妥协。更高的电流会导致器件内部的热应力增加...

2024-07-25 标签：SiC 功率半导体半导体器件 201 0

Qorvo SiC FET在ZVS软开关技术应用中的卓越表现

从石器时代到信息时代，人类对高效率的追求从未停止。如今，随着人工智能、电动汽车和可再生能源系统等前沿科技的蓬勃发展，电力电子设备面临的挑战与日俱增。开关...

2024-07-25 标签：ZVS 软开关 SiC 1176 0

源漏嵌入SiC应变技术简介

源漏区嵌入SiC 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程 NMOS 的速度，它是通过外延生长技术在源漏嵌入 SiC 应变材料，利用硅和碳晶格常数...

2024-07-25 标签：NMOS SiC 晶格 604 0

PCIM2024论文摘要｜并联SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并联SiCMOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiCMOSFET分流影响的理论分析和...

2024-07-25 标签：MOSFET 驱动电路 SiC 394 0

使用SiC技术应对能源基础设施的挑战

本文简要回顾了与经典的硅 (Si) 方案相比，SiC技术是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介绍 onsemi 的几个实际案例之前，先探讨了 Si...

2024-07-25 标签：MOSFET SiC 碳化硅 320 0

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