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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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三相全桥SiC MOSFET模块，为车载空调压缩机提供创新解决方案

1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构，以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能，展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势...

2024-09-18 标签：MOSFET 压缩机 SiC 337 0

碳化硅功率器件的工作原理和应用

碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温...

2024-09-13 标签：半导体功率器件 SiC 533 0

碳化硅功率器件的优势和应用领域

在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数...

2024-09-13 标签：半导体功率器件 SiC 652 0

皮秒激光器优化碳化硅划刻

在切割脆性 SiC 晶片时，必须减少或完全消除机械锯切的边缘崩裂现象。单晶切割还应将材料的机械变化降至最低。同时还应优先考虑最大限度地减小切口宽度，以限...

2024-09-11 标签：激光器 SiC 碳化硅 1270 0

PiN二极管和SiC二极管的区别

PiN二极管（P-I-N Diode）和SiC二极管（Silicon Carbide Diode）在多个方面存在显著差异，这些差异主要体现在材料特性、工...

2024-09-10 标签：二极管半导体 SiC 384 0

SiC MOSFET和SiC SBD的区别

SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们...

2024-09-10 标签：MOSFET 功率器件 SiC 1499 0

什么是SiC功率器件？它有哪些应用？

SiC（碳化硅）功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件，它是继硅（Si）和氮化镓（GaN）之后的第三代半导体材料的重要应用之一。SiC以其优异...

2024-09-10 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1588 0

SiC二极管的工作原理和结构

SiC二极管，即碳化硅二极管，作为第三代半导体材料的重要应用之一，其工作原理和结构在电力电子领域具有独特的重要性。以下将详细阐述SiC二极管的工作原理和...

2024-09-10 标签：二极管半导体 SiC 906 0

SiC二极管在大功率电源上的应用

SiC（碳化硅）二极管在大功率电源上的应用，正逐渐成为电力电子领域的一项重要技术革新。其凭借高能效、高功率密度、高温稳定性以及优越的电气特性，在多个大功...

2024-09-10 标签：二极管 SiC 碳化硅 342 0

SiC二极管概述和技术参数

SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应...

2024-09-10 标签：二极管 SiC 碳化硅 1065 0

离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势

*本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/工商业侧储能正以其经济性，电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载带载能力，谐波畸变度等都是其...

2024-08-30 标签：MOSFET SiC 变流器 449 0

GaN和SiC在工业电子领域的优势

提高工业能源效率是制造业关键趋势，聚焦于优化电力电子设备。MOSFET作为主流电子元件，虽控制高效但寿命短、对过载敏感。新材料如氮化镓与碳化硅的出现，通...

2024-08-30 标签：MOSFET SiC GaN 366 0

SiC FET在固态断路器应用中的冲击电流处理能力

固态断路器(SSCB)相比于传统的电机械断路器具有多种优势。基于宽带隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的SSCB可以在许多应用中扩大其...

2024-08-20 标签：固态断路器 SiC 341 0

SiC器件在电源中的应用

SiC（碳化硅）器件在电源中的应用日益广泛，其独特的物理和化学特性使得SiC成为提升电源效率、可靠性及高温、高频性能的关键材料。以下将详细探讨SiC器件...

2024-08-19 标签：电源 SiC 碳化硅 831 0

提升传统基于IGBT模块的电力组件性能的SiC模块

近年来，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成为当前使用IGBT的电力转换器设计师的真正替代方案。到目前为止，大多数SiCMOSFET...

2024-08-19 标签：IGBT SiC IGBT模块 344 0

GaN晶体管和SiC晶体管有什么不同

GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料...

2024-08-15 标签：晶体管 SiC GaN 832 0

DTS技术提高功率模块可靠性方面发挥的关键作用

派恩杰半导体，中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。在新能源汽车、光伏储能、白色家电、...

2024-08-12 标签：半导体功率器件 SiC 918 0

Qorvo在SiC领域的战略布局

SiC领域正在迎来群雄逐鹿的新时代，而射频芯片巨头Qorvo亦在电源应用领域耕耘多年，已占据自己的一席之地。

2024-08-12 标签：半导体 SiC 射频芯片 492 0

CAN SIC收发器助力复杂CAN网络高效可靠通信（2）

SIC的作用机理在CAN总线上，通过CAN_H和CAN_L两根线上的电位差来表示CAN信号。CAN总线上的电位差分为两种：显性电平(DominantVo...

2024-08-09 标签：收发器 CAN 通信 1670 0

SiC 技术相对于 Si 具有不可否认的优势

在逆变器、电机驱动和充电器等应用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷却需求和更低的整体系统成本等优势。尽管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 标签：MTTF SiC GaN 287 0

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