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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
公司在IGBT的技术基础上不断发展以SiC和主的宽禁带功率半导体器件关键技术。斯达作为国内车规级SiC模块的重要供应商,车规级SiC模块已获得了国内外多...
当 750V 第 4 代 SiC FET 与第 3 代 650V 的比较令人吃惊——例如,6 毫欧器件显示两个 R 的强度几乎减半DS•品质因数和体二极...
使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 小结
此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”,本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个...
使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例-PCB板布局示例
截至上一篇文章,结束了部件选型相关的内容,本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的PCB布局示例
SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层,且具有高热导率和低热膨胀系数,从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底...
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在...
来几年将看到电子设备和逻辑板的飞跃式增长。但作为电子产品和半导体渗透到新的行业和产品,设计师和制造商一直在寻找更好、更智能的制造方式这些重要组成部分。
浅谈第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量
-进入主题之前请您介绍了很多基础内容,下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”,首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础...
在SiC的BaSiC博客系列中,我们将探讨碳化硅的许多不同功能。让我们从这种不寻常材料的特性和应用的快速入门开始。
电子电路仿真基础:什么是热动态模型(Thermal Dynamic Model)
上一篇文章中,简单介绍了SPICE模型中的热模型(Thermal Model),它是用来进行热仿真的SPICE模型之一。本文将简单介绍另一个热仿真用的S...
Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特性
通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现,PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输...
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