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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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浅谈各种SiC IGBT器件的制作过程与相关性能

通常来讲，全控型半导体器件可以依照其导通状态下的载流子类型分为单极型半导体器件和双极型半导体器件，在每一类中又可以分为电流控制型和电压控制型。

2023-02-13 标签：IGBT SiC 功率半导体 1815 0

在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前...

2023-02-13 标签：二极管功率二极管 SiC 635 0

碳化硅是由分子还是原子组成的？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

2023-02-12 标签：SiC 碳化硅 3742 0

碳化硅MOSFET概述、特性及应用

　　在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率...

2023-02-12 标签：二极管 MOSFET 滤波器 3029 0

小编科普一下碳化硅的理化性质

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅为应用最广泛、...

2023-02-12 标签：SiC 碳化硅电热元件 1873 0

碳化硅SiC MOSFET器件的结构及特性

　　SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元...

2023-02-12 标签：MOSFET SiC 氮化镓 4521 0

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

　　在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率...

2023-02-12 标签：MOSFET IGBT PN结 2944 0

碳化硅二极管的区别和用途

随着终端应用电子架构复杂程度提升，硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求。近 20 多年来，以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 标签：功率器件 SiC 碳化硅 917 0

简述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个...

2023-02-10 标签：MOSFET SiC 宽禁带半导体 1378 0

什么是碳化硅？碳化硅的抛光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。

2023-02-10 标签：功率器件 SiC CMP 3052 0

硅基氮化镓技术到底有啥优势？

具体而言，SiC 近年来在很多领域都有应用，比如工业领域。对于 GAN 来说，可使用场景非常广泛。SiC 产品在高功率市场中有着很好的应用，例如 IGB...

2023-02-10 标签：IGBT SiC GaN 615 0

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC...

2023-02-10 标签：开关 MOSFET IGBT 1746 0

第三代SiC肖特基势垒二极管SCS3系列介绍

ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称"SiC-SBD"）产品。ROHM的每...

2023-02-10 标签：二极管电压 SiC 443 0

实现大电流化的技术要点

转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。

2023-02-10 标签：模块电流封装 318 0

1200V耐压、400A/600A的全SiC功率模块BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D1...

2023-02-10 标签：电源模块 SiC 958 0

高耐压超级结MOSFET的种类与特征

上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSF...

2023-02-10 标签：MOSFET IGBT SiC 1825 0

BD9S系列: 配置Power Good功能的车载ADAS用超小型降压DC/DC转换器（2）

ROHM最近面向ADAS（高级驾驶辅助系统）的传感器、摄像头及雷达等要求小型化、节能化和高可靠性的汽车安全驾驶辅助模块，开发出二次降压DC/DC转换器“...

2023-02-09 标签：转换器 MOSFET SiC 644 0

高可靠性1700V全SiC功率模块BSM250D17P2E004介绍

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全...

2023-02-09 标签：MOSFET 功率 SiC 836 0

采用4引脚封装的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服务器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等要求高效率的应用开发而成的沟槽栅极结构SiC MOSFE...

2023-02-09 标签：MOSFET 封装栅极 1990 0

SiC MOSFET栅-源电压测量：探头头部的安装位置

关键要点・除了测量位置之外，探头的安装位置也很重要。・如果不慎将电压探头安装在磁通量急剧变化的空间内，就会受到磁通量变化的影响，而体现在观测波形上。

2023-02-09 标签：电流 MOSFET 探头 483 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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