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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiC FET导通电阻随温度变化

比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗...

2023-02-21 标签：转换器 MOSFET SiC 1117 0

UnitedSiC FET射流计算机消除SiC FET选择中的猜忌

电源设计工具在不断改进，仿真越来越能够在调节、效率和由此产生的损耗方面输出准确的波形和性能。不过有一个小问题：模拟器只能使用你告诉它的内容——软件很聪明...

2023-02-21 标签：转换器 DC-DC SiC 235 0

碳化硅在高温下能与氧发生反应吗？

　碳化硅的应用主要在于它的半导体性能与力学性能两个方面。高温下与氧反应。

2023-02-20 标签：半导体 SiC 碳化硅 2873 0

分立SIC器件在电驱系统中的应用

更高的效率，省电池，省电费碳化硅控制器具有更高的能量转换效率，在不同的应用工况下可使能耗降低3%~6% -同样的电池容量，增加续航里程 -同样的...

2023-02-20 标签：控制器 SiC 碳化硅 320 0

更多SiC FET选项意味着经济高效的解决方案具有更大的灵活性

生活中的一切都是平衡行为，这可能会使决定变得困难。如果涉及金钱，它会带来另一个维度——如果我购买电动汽车，额外的成本会得到回报吗？在什么时间？减少二氧化...

2023-02-20 标签：转换器充电器 SiC 201 0

使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容

本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。

2023-02-19 标签：SiC GaN 功率半导体器件 698 0

碳化硅跟石墨怎样分辨？哪个比较好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

2023-02-17 标签：SiC 电阻炉碳化硅 6019 0

中国SiC碳化硅器件行业技术情况研究报告

公司在IGBT的技术基础上不断发展以SiC和主的宽禁带功率半导体器件关键技术。斯达作为国内车规级SiC模块的重要供应商，车规级SiC模块已获得了国内外多...

2023-02-17 标签：SiC 碳化硅 278 0

图腾柱PFC电路中的SiC FET可以实现承诺的效率增益

互联网不知道是谁首先创造了“无桥图腾柱功率因数校正阶段”一词，但它一定是在异想天开和灵感的时刻发明和命名的——在 AC/DC 电源中，该电路可以实现功率...

2023-02-17 标签：MOSFET PFC SiC 513 0

图腾柱PFC阶段随着SiC FET的成熟而成熟

这种布置的要点是，它可以被解构为相当于一个全桥交流整流器，然后是一个功率因数校正升压电路，但实际上与功率流一致的元件更少，损耗更低。图腾柱电路中只需要两...

2023-02-17 标签：转换器 MOSFET SiC 2074 0

找到你的高压电源设计最佳平衡点

当 750V 第 4 代 SiC FET 与第 3 代 650V 的比较令人吃惊——例如，6 毫欧器件显示两个 R 的强度几乎减半DS•品质因数和体二极...

2023-02-17 标签：电源 SiC 氮化镓 177 0

使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例小结

此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”，本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个...

2023-02-17 标签：转换器 MOSFET IC 794 0

使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例-PCB板布局示例

截至上一篇文章，结束了部件选型相关的内容，本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的PCB布局示例

2023-02-17 标签：PCB MOSFET SiC 657 0

SiC FET改进和应用程序挑战

从人类的角度来看，几代人过得很慢，在人们的记忆中，从“婴儿潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，现在奇怪的是“A”。我想他们只是用完了字母。然而，在半导体...

2023-02-17 标签：FET SiC GaN 305 0

什么是氮化镓技术指标体系分解

小编在这里给大家分享一下什么是氮化镓技术指标？什么是氮化镓技术指标体系？以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、...

2023-02-16 标签：SiC 氮化镓 GaN 2110 0

SiC功率器件的封装形式

SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底...

2023-02-16 标签：封装技术功率器件 SiC 4228 0

化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在...

2023-02-16 标签：半导体工艺功率器件 9935 0

碳化硅在半导体中有什么好处？

来几年将看到电子设备和逻辑板的飞跃式增长。但作为电子产品和半导体渗透到新的行业和产品，设计师和制造商一直在寻找更好、更智能的制造方式这些重要组成部分。

2023-02-16 标签：半导体 IGBT SiC 872 0

浅谈第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量

－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础...

2023-02-16 标签：SBD SiC 1188 0

SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停

ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC　SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小...

2023-02-16 标签：二极管半导体 SiC 740 0

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逆变器将直流电转化为交流电，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。对大容量的逆变器，由于直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变器中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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