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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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AC/DC转换器IC BM2SC12xFP2-LBZ介绍

内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－优点篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC...

2023-02-08 标签：转换器 MOSFET 封装 649 0

第三代双沟槽结构SiC-MOSFET介绍

在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽...

2023-02-08 标签：MOSFET SiC 1885 0

SiC-MOSFET体二极管的特性说明

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFE...

2023-02-08 标签：MOSFET IGBT SiC 1305 0

SiC-MOSFET与IGBT的区别

上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-...

2023-02-08 标签：MOSFET IGBT 晶体管 2041 0

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究...

2023-02-08 标签：MOSFET 晶体管 SiC 986 0

SiC-MOSFET和功率晶体管的结构与特征比较

近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开...

2023-02-08 标签：MOSFET 晶体管 SiC 801 0

SiC-MOSFET的特征

继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一...

2023-02-08 标签：MOSFET 晶体管 SiC 342 0

SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征及优势

关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。

2023-02-08 标签：SBD SiC 肖特基势垒二极管 1281 0

SiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 标签：二极管 SBD SiC 617 0

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND...

2023-02-08 标签：二极管 PND SBD 688 0

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特...

2023-02-08 标签：二极管 PND SBD 796 0

SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖...

2023-02-08 标签：二极管 SBD SiC 918 0

牵引逆变器：汽车创新与性能的相互交融

踩下电动汽车 (EV) 的踏板，即可获得快速、平稳的加速。对此感到非常满足？当然不。您大可不必如此，因为新型电动汽车将拥有更高的性能和更长的续航里程。...

2023-02-08 标签：电动汽车逆变器电机 1.1万 0

在半导体行业中碳化硅有哪些应用呢？

碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了

2023-02-07 标签：半导体 SiC 碳化硅 2179 0

SiC模块的特征和电路构成

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOS...

2023-02-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1041 0

SiC SBD器件结构和特征

1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因...

2023-02-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 833 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内...

2023-02-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 834 0

碳化硅的工作原理、优点及主要用途

　　碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合...

2023-02-06 标签：半导体功率器件 SiC 7278 0

氮化镓技术壁垒是什么，氮化镓优异特性介绍

达摩院指出，近年来第三代半导体的性价比优势逐渐显现，正在打开应用市场：SiC元件已用作汽车逆变器，GaN快速充电器也大量上市。

2023-02-07 标签：逆变器 SiC 氮化镓 574 0

什么是电力电子？为什么碳化硅对电力电子很重要？

碳化硅电力电子支持可再生能源等新兴产业（包括太阳的,烫的和风力）、EV/HEV动力系统，以及电动火车、公共汽车和其他类型的公共交通工具。

2023-02-06 标签：MOSFET 电力电子 SiC 1042 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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