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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更...
在过去几年中,半导体行业出现了新一代高功率开关,并开始商业化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望显著降低开关损耗,并允许比目前使用纯硅(Si)器件更高的...
硅功率器件已经达到了它们的材料极限,已经达到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,为汽车行业提供快速开关、高效的器件性能。然而,它们距离充分发挥...
宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估
汽车行业发展创新突飞猛进,车载充电器(OBC)与DCDC转换器(HV-LV DCDC)的应用因此也迅猛发展,同应对大多数工程挑战一样,设计人员把目光投向...
大家好,看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档,虽然比较基础,但是概括的比较好,适合电力电子专业的初学者,总体内容如下。
如何在使用SiC MOSFET时最大限度地降低EMI和开关损耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速开关速度、高额定电压和低导通 RDS(on) 使其对电源设计人员极具吸引力,这些设计人员不断寻找提高效率和功率密...
电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加,并且在众多新技术中发挥着核心作用,包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深...
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。表1-1显示了每种半导体材料的电气特性。SiC具有优异的介电击穿场强(击穿场)和带隙...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比,SiC具有许多优势,包括10倍的击穿电场强度,3倍的带隙,以及实现器件结构所需的更广泛的p型...
碳化硅(SiC)是化合物半导体材料之一,具有独特的材料性能。例如,它具有高电击穿强度(硅的十倍)和导热性(硅的三倍)。这些特性吸引了研究人员和工程师的更...
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低,SiC MOSFET似乎占据了优势,但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比,...
高频开关等宽带隙半导体是实现更高功率转换效率的助力。SiC FET就是一个例子,它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。
使用SIC MOS的开发人员是越来越多,但驱动电压到底选15V还是18V,每个人都有自己的理解,今晚听许老师讲SIC MOS驱动技术,有些感悟分享给大家。
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围,提供非常高的测量精度和丰富的连接方式,是Ga...
碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似,主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升...
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用,包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征,并将它与其他方法进行了对比。
在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能;为了获得更...
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