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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境

GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。

2022-10-19 标签：SiC GaN 404 0

SiC MOSFET必不可少的可靠性测试

在功率器件半导体领域，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件，随着时间发展，硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限，碳化硅凭借其材料的优越特性开始大放异彩

2022-10-18 标签：MOSFET SiC 4226 0

隔离比较器在电机驱动系统中的应用

功率半导体供应商不断在导通损耗和开关速度上实现突破，推出更高的电流等级、更小的封装尺寸以及更短的短路耐受时间的半导体器件。并且随着宽禁带半导体器件成本降...

2022-10-14 标签：比较器电机电机驱动 2461 0

UnitedSiC FET-Jet计算器让功率设计选择FET和SiC变得轻而易举

该工具可以立即计算出整体效率、动态和导通导致的组件功耗以及电流应力水平；甚至可以指定并联器件、多个转换器“支路”和外部散热片性能，以便预测结温。

2022-10-11 标签：FET 肖特基二极管 SiC 658 0

什么是GaN氮化镓？为什么充电器用GaN而不是SiC？

新能源车的功率控制单元（PCU）是汽车电驱系统的中枢神经，管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统 PCU 使用硅基材料半导体制成，强电流与高压...

2022-10-08 标签：充电器 SiC 氮化镓 4353 0

碳化硅功率器件解读碳化硅与车载充电器(OBC)

碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，让新能源汽车充电更快，续航更长

2022-09-23 标签：新能源汽车充电器 SiC 7784 0

使采用SiC MOSFET的高效AC/DC转换器设计更容易

BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进*的AC/DC转换器IC，采用一体化封装，已将1700V耐压的SiC MOSFET和针对其驱动而优化的控制电路内...

2022-09-20 标签：转换器 MOSFET SiC 1061 0

VE-Trac SiC如何让主驱逆变器变得更强

双碳目标正加速推进汽车向电动化发展，半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车，新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来，如在关键...

2022-09-20 标签：安森美逆变器 SiC 1300 0

VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模块如何延长电动车续航能力

因续航能力有限而导致的“里程焦虑”是许多消费者采用电动车的一个障碍。增加电池密度和提高能量转换过程的效率是延长车辆续航能力以缓解这种焦虑的关键。能效至关...

2022-08-31 标签：电动汽车 MOSFET 逆变器 3198 0

优化SiC功率器件的三个步骤

随着 SiC MOSFET 等新型功率晶体管越来越多地用于电力电子系统，使用特殊的驱动器已成为必要。通过提供对 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，...

2022-08-10 标签：MOSFET 功率器件 SiC 1203 0

评估1200V SiC MOSFET在短路条件下的稳健性

由于其极低的开关损耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 为最大限度地提高功率转换器的效率提供了广阔的前景。然而，在确定这些设备是否是实际电源转换应用的实...

2022-08-09 标签：MOSFET SiC 碳化硅 1277 0

碳化硅MOSFET的经济高效且可靠的大功率解决方案

碳化硅已被证明是高功率和高电压设备的理想材料。但是，设备的可靠性极其重要，我们不仅指短期可靠性，还指长期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但...

2022-08-09 标签：MOSFET 逆变器 SiC 1995 0

碳化硅MOSFET的可靠有效控制

对基于碳化硅 (SiC) 的系统的需求持续快速增长，以最大限度地提高效率并减小尺寸和重量，从而使工程师能够创建创新的电源解决方案。利用 SiC 技术的应...

2022-08-08 标签：MOSFET SiC 碳化硅 1181 0

如何有效地测量Sic MOSFET

随着宽带隙半导体技术变得越来越流行，正在执行不同的耐久性测试来评估二极管在高温和严酷电流循环条件下的运行情况。毫无疑问，电力电子在未来几年内将继续在基础...

2022-08-08 标签：二极管 MOSFET SiC 1032 0

动态测试确认SiC开关频率的准确性

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，专家们仍不断检查其真实性。

2022-08-08 标签：MOSFET SiC 动态测试 1751 0

选择合适的栅极驱动器来解决碳化硅(SiC)的设计挑战

Balogh还指出了其他需要考虑的问题，例如保护功能、欠压锁定、更高频率的工作、更快的开关速度和裸片上的热点，这些都会对功耗、EMI和尺寸产生影响。

2022-08-07 标签：MOSFET SiC 栅极驱动器 3411 0

为什么SiC MOSFET的短路耐受时间比较小

我们都知道，IGBT发生短路时，需要在10us或者更短的时间内关闭IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他参数来进行调节，如栅极电压VGE，母线电压等，但...

2022-08-07 标签：MOSFET IGBT SiC 3358 0

使用LTspice估算SiC MOSFET的开关损耗

为了正确利用这种能源，必须采用并大量使用转换器，其目的是将一种能源转换成另一种更适合最终使用的能源。今天，这些公司专注于减少转换器的重量和体积，以及提高...

2022-08-05 标签：转换器 MOSFET SiC 9657 0

第4代SiC FET的突破性性能

几十年来，基于硅的半导体开关一直主导着功率转换领域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、稳健的解决方案。然而，当宽带隙 (WBG) 器件于 2...

2022-08-05 标签：MOSFET 半导体 SiC 1221 0

如何将SiC库导入LTspice并对其进行仿真

碳化硅（SiC）是一种越来越重要的半导体材料：用这种材料制造的电子元件越来越普遍和高效。最好的电子仿真程序已经用这些组件丰富了他们的库，这些组件现在在...

2022-08-05 标签：MOSFET 半导体 SiC 2993 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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