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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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分析用于电力电子的宽带隙半导体

使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 标签：MOSFET 半导体 SiC 1787 0

使用最新的SiC FET封装选项提高车载充电器性能

在电动汽车中，功率转换效率是解决续航里程和充电时间问题的关键。为了最大限度地提高效率，交流输出牵引逆变器很少在 10 kHz 以上运行，因为在较高频率下...

2022-07-29 标签：MOSFET SiC 车载充电器 736 0

电源设计笔记:适用于高性能应用的SiC JFET

本文检查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——这篇文章纯粹是指导性的;此组件不再可用。但是这种简单的方法也可以应用于其他新组件。在接下...

2022-07-29 标签：电源设计 JFET SiC 1970 0

下一代高压SiC MOSFET的可靠性和稳健性测试

在当今这一代，电力电子设备几乎在从交流适配器到传输系统的各个领域都有应用。这些器件包含硅 (Si) 作为低压和高压器件的主要元素。然而，随着半导体行业的...

2022-07-29 标签：MOSFET SiC 碳化硅 2290 0

降低 SiC 电阻之路

本文基于PGC 咨询公司进行的分析，研究了当今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了这些问题，包括栅极氧化物可靠性的优化，这有...

2022-07-29 标签：电阻 MOSFET SiC 1530 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下...

2022-07-29 标签：充电器功率器件 SiC 1130 0

用于电力电子设计的高性能SiC MOSFET技术

一个合适的设备概念应该允许一定的设计自由度，以便适应各种任务配置文件的需求，而无需对处理和布局进行重大更改。然而，关键性能指标仍将是所选设备概念的低面积...

2022-07-28 标签：MOSFET SiC 碳化硅 1527 0

数据中心UPS要求SiC技术

在数据中心基础设施要求以尽可能低的成本提供高效、可靠电力的推动下，预计不间断电源 (UPS) 市场将在未来几年显着增长。随着全球经济朝着更大的数字化方向...

2022-07-27 标签：UPS 数据中心 SiC 1029 0

具有SiC和GaN的高功率

电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...

2022-07-27 标签：MOSFET SiC GaN 1035 0

用SiC驱动强大的灯或电机

改变大功率灯或电机亮度的最佳技术之一是脉冲宽度调制 (PWM)。在汽车电子系统中，一段时间以来，控制单元使用 PWM 命令控制和管理各种执行器。例如，柴...

2022-07-27 标签：微控制器 MOSFET PWM 1972 0

如何有效地测量SiC MOSFET

碳化硅二极管多为肖特基二极管。第一个商用 SiC 肖特基二极管是在 10 多年前推出的。从那时起，这些设备已被整合到许多电源系统中。二极管升级为 SiC...

2022-07-27 标签：二极管 MOSFET SiC 2007 0

如何正确应用合适的功率器件以满足工业电源要求

本文介绍了适用于工业电源应用的各种电源转换器拓扑结构，以及设计人员在选择拓扑结构及其相关组件之前必须考虑的因素。在此过程中，它介绍了 ROHM 半导体的...

2022-07-26 标签：MOSFET 功率器件 SiC 8388 0

Power Box Board帮助学生更好地了解Si和SiC技术

我们知道，技术教育不仅需要理论知识，还需要实践知识和实践经验，让学生在电路层面理解更深层次的概念。2实验室实际上可以帮助学生理解电路设计概念等主题。Po...

2022-07-26 标签：转换器 Power SiC 625 0

SiC MOSFET提高工业驱动效率

工业领域的电力应用通常基于强大的电动机，用于连续运行的风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱。工业领域最常见的配置是三相电动机，由适当的基于逆变器的...

2022-07-26 标签：MOSFET IGBT SiC 850 0

电动汽车中的SiC半导体

电子产品节能的呼吁可能很难与电子产品节能的呼声联系起来，因为这意味着您的电费只需减少几美分或对减少全球 CO 2排放量的贡献很小，但是当电动汽车的效率更...

2022-07-26 标签：电动汽车 MOSFET SiC 995 0

SiC MOSFET采用S-MOS单元技术提高效率

初创公司 mqSemi 推出了适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元设计。使用 Silvaco Victory 工艺和设备...

2022-07-26 标签：MOSFET 晶体管功率器件 989 0

高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能

本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。这种 SiC JFET 适用于任何需要高功率和快速开关速度的应用。然而，它特别适合用于音频...

2022-07-25 标签：JFET SiC 碳化硅 1456 0

第4世代SiC MOSFET使用时的应用优势

2022-07-22 标签：MOSFET SiC 533 0

安森美VE-Trac SiC用于主驱逆变器的优势

双碳目标正加速推进汽车向电动化发展，半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车，新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来，如在关键...

2022-07-21 标签：MOSFET 安森美逆变器 977 0

新兴解决方案增强电动汽车电源管理

电动汽车因其在质量、功能简单性以及最重要的能源效率方面的环保特性而变得越来越流行。功能推力由电动机驱动，与内燃机相比，电动机的结构简单。在能源效率方面，...

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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