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用SiC JFET技术彻底改变电路保护

20世纪中叶，住宅和工业电气系统经历了重大创新。其中最具影响力的进展之一是从传统的可更换保险丝转向微型断路器(MCB)。虽然保险丝提供了基本的保护，但在...

2024-07-24 标签：断路器电路保护SiC 396 0

详解电力电子领域碳化硅(SiC)的热行为

碳化硅(SiC)在功率电子学中相比传统的硅工艺技术具有众多优势。它结合了更高的电子迁移率、更宽的带隙和更好的热导率。得益于这些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 标签：SiC碳化硅功率电子 2.2万 0

三种功率器件的应用区别

GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶...

2024-07-18 标签：MOSFET半导体晶体管 4696 0

驱动SiC MOSFET有多容易？

得益于宽禁带半导体的材料优势，SiCMOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiCMOSFET很多性能与传统Si基器件不同，对驱动设计也提出了更高...

2024-07-12 标签：MOSFET驱动SiC 217 0

基于安森美碳化硅模块的换电站中充电电路设计

在电动车发展的过程当中，充电和换电是两个同时存在的方案。车载充电OBC可以通过两相或三相电给汽车充电，但其无法满足快充的需求。现在充电桩发展迅速，已经有...

2024-07-08 标签：安森美SiC充电站 464 0

SiC功率器件性能和可靠性的提升

在电力电子领域，碳化硅(SiC)技术对于推动向电动移动性的转变和提高可再生能源系统的效率至关重要。随着市场需求的增加，功率半导体公司面临着迅速扩大生产能...

2024-07-04 标签：功率器件SiC器件 1383 0

AI数据中心电力飙升，安森美高能效MOSFET如何见招拆招？

安森美的中低压 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽栅极沟槽技术，降低了开关损耗和导通损耗，并进而显著降低了其 Qg，RDS(O...

2024-06-29 标签：MOSFET安森美数据中心 770 0

UPS系统设计方案解读

UPS的应用场景日趋多样化，每个场景都有其独特的需求，对应不同的方案。UPS系统方案指南继续上新，本文将聚焦UPS设计方案展开讲述。

2024-06-26 标签：充电器安森美SiC 684 0

一文了解SiC MOS的应用

作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换...

2024-06-21 标签：半导体MOSSiC 467 0

用碳化硅(SiC)重新思考软开关效率

从理论上讲，碳化硅(SiC)技术比硅(Si)具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有MOSFET的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该...

2024-06-19 标签：电阻MOSFETSiC 525 0

氧化镓器件，高压电力电子的未来之星

超宽带隙(UWBG)半导体相比si和宽带隙材料如SiC和GaN具有更优越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化镓正逐渐展现出其在高压电力电子领域的...

2024-06-18 标签：半导体SiC电力器件 506 0

并行连接的SiC MOSFET可以带来更多电力

功率器件(如开关、电阻和MOSFET)的并联连接旨在分担功率，使设备能够承受更大的功率。它们可以并联连接，以增加输出电流的容量。由于不受热不稳定性的影响...

2024-06-03 标签：电流MOSFETSiC 727 0

碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较

过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的功率模块，如...

2024-05-30 标签：功率器件SiC碳化硅 581 0

SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

首先，计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而...

2024-05-29 标签：MOSFET导通电阻SiC 1048 0

碳化硅衬底片比较重要的参数有哪些？

Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。

2024-05-19 标签：半导体SiC碳化硅 823 0

SiC MOSFET实现高频大功率变换——固态变压器应用案例剖析

在传统的配电网结构中，工频变压器是实现电能分配和电压等级变换的主要电气设备。工频变压器的主要组成部件为铁芯和绕组，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效...

2024-05-17 标签：变压器MOSFETSiC 1791 0

英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2，助力下一代高性能电源系统

所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与Si功率MOSFET技术的发展有许多相似之处。...

2024-05-16 标签：英飞凌MOSFET功率器件 525 0

使用Simcenter全面评估SiC 器件的特性——Simcenter为热瞬态测试和功率循环提供全面支持

内容摘要传统的硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有成熟的技术和低廉的成本，在中压和绝缘栅双极晶体管(IGBT)高压功率电子器件中占主导...

2024-05-07 标签：测试半导体SiC 621 0

仿真微调：提高电力电子电路的精度

作者：James Victory，安森美电源方案事业群 TD 建模和仿真方案研究员 在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器...

2024-04-30 标签：仿真SiC模型 1712 0