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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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PCIM2024论文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动

/摘要/400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 标签：MOSFET 电机驱动 SiC 2105 0

碳化硅器件的应用领域和技术挑战

　　碳化硅（SiC）是一种以碳和硅为主要成分的半导体材料，近年来在电子器件领域的应用迅速发展。相比传统的硅材料，碳化硅具有更高的击穿电场、更高的热导率和...

2024-08-07 标签：半导体 SiC 碳化硅 407 0

碳化硅功率器件的优势和分类

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件，主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 540 0

碳化硅晶体的生长原理

碳化硅晶体的生长原理在自然界中，晶体不胜枚举，其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体；此外，半导体晶体、激光晶体、...

2024-08-03 标签：晶体 SiC 衬底 3506 0

国产车规级智能隔离栅极驱动器概述

电机控制器是新能源汽车中的重要组成部分，负责控制电机的运转，而栅极驱动器则是电机控制器中的关键元件之一。今天就给大家推荐一款国产车规级智能隔离栅极驱动器...

2024-08-01 标签：MOSFET SiC 栅极驱动器 659 1

直接液体冷却功率半导体器件的影响

在电力电子领域，面临的挑战是如何在更小的设备中实现更高的功率传输并降低成本。这些目标往往相互矛盾，导致必须做出妥协。更高的电流会导致器件内部的热应力增加...

2024-07-25 标签：SiC 功率半导体半导体器件 233 0

Qorvo SiC FET在ZVS软开关技术应用中的卓越表现

从石器时代到信息时代，人类对高效率的追求从未停止。如今，随着人工智能、电动汽车和可再生能源系统等前沿科技的蓬勃发展，电力电子设备面临的挑战与日俱增。开关...

2024-07-25 标签：ZVS 软开关 SiC 1244 0

源漏嵌入SiC应变技术简介

源漏区嵌入SiC 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程 NMOS 的速度，它是通过外延生长技术在源漏嵌入 SiC 应变材料，利用硅和碳晶格常数...

2024-07-25 标签：NMOS SiC 晶格 783 0

PCIM2024论文摘要｜并联SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并联SiCMOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiCMOSFET分流影响的理论分析和...

2024-07-25 标签：MOSFET 驱动电路 SiC 491 0

使用SiC技术应对能源基础设施的挑战

本文简要回顾了与经典的硅 (Si) 方案相比，SiC技术是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介绍 onsemi 的几个实际案例之前，先探讨了 Si...

2024-07-25 标签：MOSFET SiC 碳化硅 358 0

用SiC JFET技术彻底改变电路保护

20世纪中叶，住宅和工业电气系统经历了重大创新。其中最具影响力的进展之一是从传统的可更换保险丝转向微型断路器(MCB)。虽然保险丝提供了基本的保护，但在...

2024-07-24 标签：断路器电路保护 SiC 466 0

详解电力电子领域碳化硅(SiC)的热行为

碳化硅(SiC)在功率电子学中相比传统的硅工艺技术具有众多优势。它结合了更高的电子迁移率、更宽的带隙和更好的热导率。得益于这些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 标签：SiC 碳化硅功率电子 2.4万 0

三种功率器件的应用区别

GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶...

2024-07-18 标签：MOSFET 半导体晶体管 5104 0

驱动SiC MOSFET有多容易？

得益于宽禁带半导体的材料优势，SiCMOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiCMOSFET很多性能与传统Si基器件不同，对驱动设计也提出了更高...

2024-07-12 标签：MOSFET 驱动 SiC 255 0

基于安森美碳化硅模块的换电站中充电电路设计

在电动车发展的过程当中，充电和换电是两个同时存在的方案。车载充电OBC可以通过两相或三相电给汽车充电，但其无法满足快充的需求。现在充电桩发展迅速，已经有...

2024-07-08 标签：安森美 SiC 充电站 518 0

SiC功率器件性能和可靠性的提升

在电力电子领域，碳化硅(SiC)技术对于推动向电动移动性的转变和提高可再生能源系统的效率至关重要。随着市场需求的增加，功率半导体公司面临着迅速扩大生产能...

2024-07-04 标签：功率器件 SiC 器件 1449 0

AI数据中心电力飙升，安森美高能效MOSFET如何见招拆招？

安森美的中低压 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽栅极沟槽技术，降低了开关损耗和导通损耗，并进而显著降低了其 Qg，RDS(O...

2024-06-29 标签：MOSFET 安森美数据中心 813 0

UPS系统设计方案解读

UPS的应用场景日趋多样化，每个场景都有其独特的需求，对应不同的方案。UPS系统方案指南继续上新，本文将聚焦UPS设计方案展开讲述。

2024-06-26 标签：充电器安森美 SiC 779 0

一文了解SiC MOS的应用

作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换...

2024-06-21 标签：半导体 MOS SiC 508 0

用碳化硅(SiC)重新思考软开关效率

从理论上讲，碳化硅(SiC)技术比硅(Si)具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有MOSFET的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该...

2024-06-19 标签：电阻 MOSFET SiC 615 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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