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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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车载充电机OBC的技术方向与碳化硅应用方案

车载充电机（On-Board Charger，简称为OBC）的基本功能是：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给车载动力电池进行慢...

2022-07-20 标签：SiC 碳化硅 OBC 3143 0

安森美应用于UPS的SiC方案

随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源(UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面临...

2022-07-12 标签：UPS SiC 碳化硅 610 0

SiC设计分享（三）：onsemi同等功率的SiC与SiMOST进行比较

本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时参考！

2022-07-06 标签：MOSFET MOS SiC 2380 0

宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HN...

2022-07-06 标签：半导体 SiC 蚀刻 2262 0

SiC MOS器件栅极氧化物可靠性的挑战

除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多的话题。我们将坚固性定义为器件承受特定的特殊压力事件的能力，例如，短路能力或脉冲电流处理能力。

2022-06-30 标签：SiC Fit SiC功率器件 3809 0

安森美丰富的SiC方案解决新一代UPS的设计挑战

随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面...

2022-06-24 标签：UPS 安森美 SiC 1449 0

如何选取SiC门极电压

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未...

2022-06-06 标签：电压 SiC 开关频率 2979 0

25 kW SiC直流快充设计指南：DC-DC级的设计考虑因素和仿真

作者：安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec 在“开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩” [1-3] ...

2022-05-10 标签：仿真 DC-DC SiC 1.2万 0

SiC共源共栅在困难条件下的性能解析

本文探讨了 SiC 共源共栅在困难条件下（包括雪崩模式和发散振荡）的性能，并研究了它们在利用零电压开关的电路中的性能。

2022-05-07 标签：SiC 电压开关共源共栅 2488 0

智能混合信号无桥图腾柱PFC控制器解决AC-DC电源能效挑战

　　评估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦。快速支路开关采用GaN HEMT，交流电同步整流器采用Si-MOSFET，在整个电源电压范围内...

2022-05-06 标签：电源 MOSFET SiC 8298 0

SiC在电动汽车有哪些应用

尽管电动汽车历史不逊于内燃机车，但它实实在在地被全世界主要国家推广，发生在最近十年。相比于已在市场中接受了数十上百年考验的内燃机车，电动汽车存在许多的不...

2022-04-25 标签：电动汽车 SiC 2312 0

功率器件SiC和GaN的电压变化率与电流变化率

我们都知道功率半导体器件属于电力电子开关，开关速度非常快，1秒可以开关上千次(kHz)，高速功率器件可达到几十kHz，甚至上百kHz。开关速度越快意味着...

2022-04-22 标签：功率器件 SiC GaN 3589 0

详解硅片的研磨、抛光和清洗技术

在半导体和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在半导体器件的制造中，半导体制造工艺包括:（1）从晶体生长开始切割和抛光...

2022-04-20 标签：SiC 硅片清洗 1.4万 0

单晶SiC晶圆加工过程中的低温湿法蚀刻

硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC...

2022-04-15 标签：晶圆 SiC 刻蚀 1764 0

外延层的掺杂浓度对SiC功率器件的重要性

控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。

2022-04-11 标签：工艺功率器件 SiC 6954 0

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用...

2022-03-29 标签：SiC 碳化硅刻蚀 1814 0

IGBT和SiC电源开关知识科普

IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用? 高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功率应用的...

2022-03-18 标签：IGBT 电源开关 SiC 7685 0

PI推出集成SiC MOSFET的车规级反激式开关IC

电子发烧友网报道(文/程文智)这几年电动汽车发展异常火热，销量是节节攀升，其续航能力也在不断取得突破。但里程焦虑还没有彻底解决，为了应对该问题，汽车厂商...

2022-02-22 标签：MOSFET IC SiC 1701 0

高可靠性SiC MOSFET芯片优化设计

以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和综合成本层面已得到产业界的认...

2022-02-18 标签：芯片 MOSFET SiC 4320 0

碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

引言人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例...

2022-01-10 标签：半导体 SiC 碳化硅 2064 0

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