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GaN 和 SiC 器件相似和差异

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。

2021-11-17 标签：SiCGaN半导体器件 4636 0

首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“，可提升电源效率4%！

工业三相供电（400 VAC to 690VAC）的功率变换系统，其母线电压通常高于600V，母线电压范围在300Vdc-1000Vdc。

2021-10-11 标签：MOSFET电源设计SiC 1924 0

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。

2021-09-06 标签：英飞凌pcbMOSFET 4291 0

仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统...

2021-08-31 标签：IGBTSiC英飞凌科技 2130 0

确保SiC验证测试准确度，有效测量碳化硅功率电子系统中的信号

在功率电子系统中，差分探头和参考地电平探头是两种常用的电压测量方法。差分探头是一种流行的选择，因为它可以毫无问题地添加到电路的任意节点中。

2021-07-13 标签：电子系统SiC碳化硅 2276 0

碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。

2021-07-04 标签：SiC电机驱动器碳化硅 2362 0

浅谈栅极-源极电压产生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 标签：MOSFETSiC功率元器件 2880 0

追求尽善尽美–电动车中的SiC半导体

本文探讨了SiC FET共源共栅结构是如何提供最佳性能和一系列其他好处的。

2021-05-12 标签：转换器电动车SiC 1053 0

领先的SiC/GaN功率转换器的驱动

基于硅IGBT的传统逆变器和转换器占据市场主体（占比超过70%），这主要归功于工厂生产线中的电机驱动应用和第一代风力和太阳能逆变器。

2021-04-12 标签：电动汽车逆变器功率转换器 962 0

【当代材料电学测试】系列之四：宽禁带材料测试

随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。

2021-03-26 标签：万用表SiCGaN 999 0

在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化

650V SiC MOSFET的拥护者可能会指出，他们发现其他类似器件在Tj =125°C下的该数值通常为+20-25%。这能说明SiC MOSFET比...

2021-01-08 标签：MOSFETSiC栅极驱动 3086 0

如何通过栅极驱动技术实现SiC性能的最大化

SiC和其他宽禁带器件的基本优势源于它们的带隙，价带顶部和导带底部之间的能量差。电子从低能价带移动到高能导带使材料导电。

2021-02-20 标签：电动汽车IGBT电源开关 2598 0

宽带隙半导体开关：缓慢的开关沿可减少过冲和EMI

在宽带隙半导体开关的新时代，器件类型的选择包括具有自己的特性并声称具有最佳性能的SiC MOSFET和GaN HEMT单元。但是，这两者都不是理想的开关...

2021-03-18 标签：电容器MOSFET缓冲器 7768 0

如何混合Si和SiC器件实现完整SiC MOSFET转换器相同效率的调制方案

在现代时代，随着电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）领域的所有进步对具有高功率密度和效率的转换器的需求已经增加，尤其是在电动汽车充电点的并网系统中[...

2021-03-22 标签：电动汽车MOSFET整流器 4451 0

SiC与石墨烯覆盖层一起用于GaN膜的生长

氮化镓（GaN）为从RF-IC到众多功率控制IC（例如通信，能源和军事应用中使用的大功率HEMT）等各种模拟微芯片提供了显着的性能优势。GaN还是高能效...

2021-04-04 标签：ledSiC氮化镓 1576 0