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基于SiC或GaN的功率半导体应用设计

工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG...

2021-04-06 标签：电磁干扰SiC氮化镓 3432 0

SiC MOSFET的实时结温监控电路测量方案

本文介绍了一种新颖的测量电路，以测量用于测量SiC MOSFET的实时或实际结温。可以看出，出于订购和处理数据或电流传感器的目的，不需要本质上复杂的任何算法。

2021-04-23 标签：MOSFET监控电路SiC 5663 0

SiC对电力电子的挑战 碳化硅组件的制造过程

由于SiC具有高导热性，因此它比其他半导体材料更快地散发热量。因此，SiC器件可以在极高的功率水平下运行，并且仍然可以散发器件产生的大量多余热量。

2021-05-13 标签：SiC碳化硅 2587 0

面向汽车应用的下一代高压离散电源产品

电动汽车的激增将功率半导体性能的边界推向了新的高度。传统上，硅功率器件已用于控制汽车中的各种功率电子系统，例如用于主逆变器电机，泵，HVAC压缩机，制动...

2021-05-18 标签：电动汽车二极管IGBT 2241 0

允许更高的功率密度的GaAs肖特基二极管

当讨论诸如开关模式电源（SMPS）或功率因数校正（PFC）之类的高功率密度和高频应用时，已知硅双极二极管由于其反向恢复行为和由此产生的开关损耗而限制了这...

2021-05-27 标签：升压转换器PFC肖特基二极管 2067 0

全面解析快速电动汽车充电技术

简短的电动汽车部署展望 电动汽车、电动动力总成和车辆电气化技术已经存在多年。事实上，第一个 电动汽车（EV） 出现在晚19日 世纪。 然而，在近年来一直...

2021-06-22 标签：电动汽车SiC 9727 0

SiCMOSFET如何实现降低功率转换过程中能量损耗

人们普遍认为，SiCMOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际...

2021-01-27 标签：SiC功率半导体功率晶体管 3437 0

功率GaN出现爆炸式增长 基于GaN的RF器件独特优势众多

Qorvo这种新型高功率放大器MMIC是专为“商业和军事雷达，以及电子战应用”而设计。

2021-01-19 标签：SiCGaN射频技术 1988 0

安森美半导体的SiC电源解决方案解析

可再生能源的产生和收集方面最新进展是使同一个电网可以扩展其发电资源（风能和太阳能），同时可以创建灵活的双向分配方式，以满足不同的需求和存储选择。

2021-01-19 标签：二极管驱动器逆变器 2764 0

【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四：宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证

选择TIVH差分探头的基本原则是以驱动信号的上升时间为依据，仪器系统对被测点的影响小于3%。上管信号测量考虑因素：带宽、电压范围（共模和差模）、CMRR和连接。

2020-08-11 标签：SiCGaN泰克科技 1119 0

半导体材料Si、SiC和GaN 优势及瓶颈分析

作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。

2020-09-11 标签：SiCGaN半导体器件 1.2万 0