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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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MOS管的构造,工作原理,特性,电压极性和符号规则的详细资料概述

随着社会的进步和发展，MOS管在电子行业的应用越来越广泛，萨科微电子SLKOR作为能够研发生产碳化硅SiC产品的“碳化硅专家”，必须来科普一下这方面的知识。

2018-07-15 标签：半导体 MOS管 SiC 1.0万 0

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是...

2018-07-15 标签：MOSFET 功率器件 SiC 1.0万 0

入了解SiC MOSFET实现建议和解决方案示例

对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的开关速度、更高的电流密...

2018-07-04 标签：MOSFET SiC 开关损耗 9507 0

通过RECOM的DC/DC转换器驱动的SiC技术

在许多人的头脑中，电力电子与可再生能源及电动力紧密关联换言之：数百伏的电压以及中等到高功率范围的功率输出。乐高盒式模块化电源（即 DC/DC 转换器...

2018-06-29 标签：转换器 SiC DC/DC转换器 5911 0

SiC材料到底有多大的作用？

亿纬锂能采取多元化品类并存路线，包括锂原电池、复合电源、消费类锂离子电池及动力/储能电源系统等。在动力方面的主要产品类型包括：圆柱三元(18650/21...

2018-06-22 标签：SiC 2.0万 0

SiC/GaN功率开关完整的系统解决方案

驱动 SiC/GaN 功率开关需要设计一个完整的 IC 生态系统，这些 IC 经过精密调整，彼此配合。于是这里的设计重点不再只是以开关为中心……

2018-06-22 标签：功率开关 SiC GaN 5226 0

高频驱动，有利于外围元器件的小型化

在PWM逆变器驱动时的损耗仿真中，与同等额定电流的IGBT模块相比，相同开关频率的损耗在5kHz时减少30%、20kHz时减少55%，总体损耗显著降低。...

2018-06-15 标签：元器件逆变器 SiC 4871 0

为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑几个方面?

SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，以英飞凌CoolSiC™ 系列为例，全系列SiC MOSFET具有大约3秒的短路耐受能力。...

2018-06-15 标签：MOSFET SiC 驱动芯片 2.6万 0

介绍 SiC 新功率元器件

使用SiC的新功率元器件技术

2018-06-26 标签：元器件 sic rohm 6103 0

SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢？

图3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的输出特性对...

2018-06-09 标签：mosfet 功率器件 SiC 9574 0

SiC和GaN功率半导体在混合动力和电动汽车的主传动系逆变器中的应用

SiC电力电子器件主要包括功率二极管和三极管（晶体管、开关管）。SiC功率器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增，带来体积...

2018-06-05 标签：电动汽车半导体 SiC 6672 0

SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景

本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。

2018-05-28 标签：sic 半导体器件 1.1万 1

三菱电机SiC功率模块的发展里程碑

2015年4月，Bodo’s Power上报道了三菱电机1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模块（FMF800DX-24A）[3]。为了有效...

2018-05-26 标签：三菱电机 SiC 功率模块 1.2万 0

控制、驱动、检测高密度SiC/GaN功率转换

了解关键的ADI iCoupler®数字隔离、控制、传感和通信技术如何直接通过部署SiC和GaN功率转换及日益复杂的多级控制拓扑来解决面临的挑战。

2018-06-05 标签：adi 通信技术控制 5031 0

何谓全SiC功率模块?

罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模...

2018-05-17 标签：SiC 功率模块 1.4万 0

SiC材料在牵引系统中的应用

SiC作为宽禁带半导体材料，与Si相比具有击穿场强高、导热系数高、载流能力大、开关速度快、可高温工作等优点，适用于高压、高温、高频等领域的应用。

2018-05-17 标签：IGBT SiC 5011 0

各种SiC功率器件的研究和开发进入迅速发展时期

SiC的禁带宽度3.23ev，相应的本征温度可高达800摄氏度。如果能够突破材料及封装的温度瓶颈，则功率器件的工作温度将会提升到一个全新的高度。SiC材...

2018-05-11 标签：功率器件 sic 9310 0

英飞凌碳化硅技术大解析

电力电子未来发展的趋势之一是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计,所以如何降低动态损耗至关重要。因为SiC材料的本征特性,SiC器件的电容相当小。在...

2018-05-02 标签：英飞凌肖特基二极管 SiC 9495 0

一种先进的利用电流检测端子实现的全SiC模块过流和短路保护方法

采用电流检测并用于FMF800DX-24A的先进保护方法是通过参考设计RDHP-1417来实现的(其采用驱动核2SC0435T)[4][5]，并包括过压...

2018-04-10 标签：电流 MOSFET SiC 8510 0

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

作者：United Silicon Carbide公司新产品导入经理Zhongda Li 宽带隙器件的承诺诸如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带...

2018-02-28 标签：场效应晶体管 SiC GaN 1.1万 1

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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