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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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AI数据中心电力飙升,安森美高能效MOSFET如何见招拆招?
安森美的中低压 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽栅极沟槽技术,降低了开关损耗和导通损耗,并进而显著降低了其 Qg,RDS(O...
SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
首先,计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而...
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)器件作为第三代半导体材料的重要代表,近年来在电子器件领域中备受关注。
SiC MOSFET实现高频大功率变换——固态变压器应用案例剖析
在传统的配电网结构中,工频变压器是实现电能分配和电压等级变换的主要电气设备。工频变压器的主要组成部件为铁芯和绕组,常采用油浸式或者干式,具有可靠性高,效...
英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2,助力下一代高性能电源系统
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使用Simcenter全面评估SiC 器件的特性——Simcenter为热瞬态测试和功率循环提供全面支持
内容摘要传统的硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有成熟的技术和低廉的成本,在中压和绝缘栅双极晶体管(IGBT)高压功率电子器件中占主导...
功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案
栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真,模拟器件的开关状态,掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等,其核心还是理论计算。
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