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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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栅极环路电感对IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响简析

IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。

2024-03-12 标签：驱动器电磁兼容 IGBT 1005 0

碳化硅（SiC）功率器件核心优势及技术挑战

SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的...

2024-03-08 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1182 0

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带...

2024-03-07 标签：MOSFET 功率器件互连技术 1255 0

新型隔离式Σ-Δ调制器如何提高和增强系统电流测量精度

最新的隔离式调制器通过优化内部模拟设计和使用最新斩波技术来改善失调和增益误差相关的性能，这极大地简化了系统设计并减少了校准时间。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 标签：adc SiC 调制器 599 0

SiC功率器件先进互连工艺研究

共读好书杜隆纯何勇刘洪伟刘晓鹏（湖南国芯半导体科技有限公司湖南省功率半导体创新中心）摘要：针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求，...

2024-03-05 标签：功率器件 SiC AMB 487 0

浅谈SiC晶体材料的主流生长技术

在SiC晶体的扩径生长上比较困难，比如我们有了4英寸的晶体，想把晶体直径扩展到6英寸或者8英寸上，需要花费的周期特别长。

2024-03-04 标签：晶体 SiC 碳化硅 659 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更...

2024-02-29 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1545 0

浅析碳化硅功率器件：原理、应用与未来发展前景

随着能源效率和环保要求的日益提高，电力电子系统正在向着更高效、更紧凑的方向发展。

2024-02-28 标签：晶体管硅二极管功率器件 845 0

基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法

摘要：随着储能变流器向大容量、模块化发展，碳化硅（SiC）器件由于其低损耗、耐高温的特性，逐渐成为研究热点。然而SiC器件过高的开关速度使其对电路中杂散...

2024-02-22 标签：MOSFET 变换器 SiC 2031 0

内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC助推工厂智能化

各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度，在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。

2024-02-21 标签：转换器 MOSFET SiC 730 0

晶体制备技术：碳化硅衬底成本降低的关键路径

液相法的核心在于使用石墨坩埚作为反应器，通过在熔融纯硅中加入助溶剂，提高其对碳的溶解度。在坩埚靠近壁面的高温区域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 标签：SiC 半导体器件碳化硅 720 0

碳化硅发展生逢其时

*文末有礼碳化硅（SiC) 正在改变人类能源控制和转换的方式，带来一场颠覆性变革。电动汽车、可再生能源、储能和不间断电源等许多应用都能通过SiC实现性...

2024-03-04 标签：晶圆 SiC 碳化硅 632 0

SiC MOSFET模块串扰应用对策

SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新技术的优良特性。

2024-02-19 标签：MOSFET 数字示波器 SiC 1132 0

目前存在哪些与800V电动汽车动力总成架构有关的设计和测试挑战

电动汽车 (EV) 普及率的上升激发了市场对优化设计、降低成本和提升车辆运行效率的需求，并为产品测试提出了新的难题。

2024-02-19 标签：电动汽车逆变器功率转换器 892 0

具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能

2024-02-19 标签：SBD SiC GaN 1144 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一种半导体器件，具有许多独特的特性，使其在高性能电力电子应用中具有优势。以下是SiC功率元器件的一些主要特征：碳化硅（Si...

2024-02-04 标签：功率器件 SiC 碳化硅 690 0

宽带隙半导体重塑交通运输行业

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美编辑整个交通运输行业正在经历一场彻底的变革，内燃机 (ICE) 汽车逐渐让位于污染更少的电动汽车...

2024-02-13 标签：二极管半导体 SiC 1018 0

基于SiC功率模块的高效逆变器设计方案

适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)

2024-01-26 标签：电容器逆变器 SiC 452 0

SiC功率元器件中浪涌抑制电路设计

只是由于SiC MOSFET的跨导比Si MOSFET的跨导小一个数量级以上，因此不会立即流过过大的直通电流。所以即使流过了直通电流，也具有足够的冷却能...

2024-01-25 标签：MOSFET 功率器件 SiC 427 0

碳化硅SiC功率器件的技术特点及其应用领域

随着能源转换和输电技术的发展，对高效、高速、高温工作的半导体器件需求日益增长。

2024-01-25 标签：半导体晶体管功率器件 908 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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