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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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碳化硅功率器件：革新未来能源与电力电子技术的关键材料

随着全球对高效能源的不断追求和电子技术的快速发展，传统的硅基功率器件已逐渐达到其性能边界。

2024-03-21 标签：电动汽车功率器件 SiC 559 0

浅析功率半导体IGBT及SiC技术的相关知识

电力电子技术在新能源汽车中应用广泛，是汽车动力总成系统高效、快速、稳定、安全能量变换的基础。

2024-03-21 标签：新能源汽车 IGBT 电机控制器 2066 0

碳化硅MOS、超结MOS与IGBT性能比较

Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。

2024-03-19 标签：二极管 IGBT MOS 6230 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。

2024-03-19 标签：功率转换功率器件 SiC 624 0

SiC驱动电源设计要点（变压器部分）

在设计SiC（碳化硅）驱动电源时，需要考虑以下几个关键要点：

2024-03-18 标签：IGBT SiC 驱动电源 1752 0

SiC器件如何提升电动汽车的系统效率

SiC器件可以提高电动汽车的充电模块性能，包括提高频率、降低损耗、缩小体积以及提升效率等。这有助于提升电动汽车的整体性能表现。

2024-03-18 标签：电动汽车新能源汽车电机控制器 1592 0

深入探索研究SiC功率器件高效互连技术

本文采用的DTS（DieTopSystem）技术结合了芯片双面银烧结工艺与铜线键合工艺，此技术能够避免直接在芯片上进行铜线键合时造成的芯片损伤。

2024-03-18 标签：DTS 功率器件 SiC 409 0

中国碳化硅衬底价格2024年快速滑落 800V的春天看来要到了

国际半导体IDM厂商，如意法半导体、英飞凌、安森美、罗姆电子等，在中国市场仍然占据碳化硅元件的重要地位。消息人士补充，外国汽车品牌或与中国合资的汽车品牌...

2024-03-14 标签：SiC 碳化硅射频器件 1287 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圆厂投资引发市场疑虑

虽然Infineon是欧洲五大芯片制造商之一，但他的作风一向非常低调。就连Infineon的收购行动也常常被低调处理。

2024-03-14 标签：SiC Infineon 碳化硅 248 0

探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用场景

碳化硅功率器件利用SiC半导体材料制成。SiC是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更高的电子饱和漂移速度和热导率，以及更高的临界击穿电场强度。

2024-03-14 标签：功率器件 SiC 碳化硅 493 0

水下航行器电机的SiC MOSFET逆变器设计

利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。

2024-03-13 标签：MOSFET 逆变器 IGBT 341 0

SiC MOSFET非放电型RCD缓冲电路的设计

与放电型RCD缓冲电路不同，非放电型RCD缓冲电路的RSNB消耗的功率仅为浪涌能量，因此RSNB的容许损耗可以较小。这可以扩大RSNB的选择范围，使得能...

2024-03-13 标签：MOSFET emi SiC 600 0

同轴分流器在SiC和GaN器件中的测量应用

随着现代电力电子的高速发展，SiC/GaN 功率器件的应用越来越广泛，工程师经常要测量频率高达数百 kHz，电流高达数十安培的功率电路。

2024-03-13 标签：功率器件 SiC GaN 1114 0

如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢？

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全桥 SiC 功率模块设计与开发，...

2024-03-13 标签：电动汽车散热器 SiC 1903 1

基于碳化硅（SiC）材料打造的主驱逆变器即将大规模“上车”

在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驱逆变器。

2024-03-13 标签：新能源汽车 MOSFET 逆变器 1638 0

栅极环路电感对IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响简析

IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。

2024-03-12 标签：驱动器电磁兼容 IGBT 1072 0

碳化硅（SiC）功率器件核心优势及技术挑战

SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的...

2024-03-08 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1438 0

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带...

2024-03-07 标签：MOSFET 功率器件互连技术 1429 0

新型隔离式Σ-Δ调制器如何提高和增强系统电流测量精度

最新的隔离式调制器通过优化内部模拟设计和使用最新斩波技术来改善失调和增益误差相关的性能，这极大地简化了系统设计并减少了校准时间。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 标签：adc SiC 调制器 682 0

SiC功率器件先进互连工艺研究

共读好书杜隆纯何勇刘洪伟刘晓鹏（湖南国芯半导体科技有限公司湖南省功率半导体创新中心）摘要：针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求，...

2024-03-05 标签：功率器件 SiC AMB 552 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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