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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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深度解读第三代半导体—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。

2024-01-24 标签：二极管 MOSFET 半导体 2709 0

了解栅极-源极电压浪涌

由于这种开关工作，受开关侧LS电压和电流变化的影响，不仅在开关侧的LS产生浪涌，还会在同步侧的HS产生浪涌。

2024-01-24 标签：MOSFET SiC 同步升压 590 0

碳化硅晶片的化学机械抛光技术研究

为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微...

2024-01-24 标签：SiC 晶片碳化硅 1796 0

SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。

2024-01-20 标签：新能源汽车 MOSFET 晶体管 991 0

100kW碳化硅三相并网逆变器设计

摘要：随着人们环保意识的不断提高，传统的化石能源越来越无法满足人们的要求，以太阳能为代表的可再生新能源逐渐引起人们的关注。而并网逆变器作为新能源与电网连...

2024-01-19 标签：逆变器 IGBT 晶体管 1753 0

碳化硅晶片为什么存在C面和Si面

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。

2024-01-18 标签：半导体 SiC 晶片 1564 0

一种结合了SiC和GaN优势的晶体管

这是电力电子领域令人兴奋的时代。在硅占据主导地位数十年后，两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开始占领价值数十亿美元的市场。例如，碳化硅现在是电动汽...

2024-01-18 标签：半导体晶体管 SiC 341 0

碳化硅功率器件的应用与市场前景

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功...

2024-01-17 标签：半导体功率器件 SiC 661 0

碳化硅单晶衬底的常用检测技术

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向...

2024-01-17 标签：半导体晶体管 SiC 2117 0

半导体碳化硅(SiC)行业研究

第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三...

2024-01-16 标签：半导体 SiC 碳化硅 918 0

晶圆级立方碳化硅单晶生长研究进展

碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-...

2024-01-16 标签：晶圆晶体管 SiC 642 0

碳化硅特色工艺模块简介

碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光...

2024-01-11 标签：半导体 SiC 碳化硅 791 0

碳化硅升华生长温度测控研究

摘要：通过调节中频感应线圈的输出功率来改变碳化硅升华生长坩埚的加热温度，并采用 NaCl 和 Al2O3 进行烧结实验，观察不同输出功率下烧结后的形貌变...

2024-01-11 标签：半导体 SiC 碳化硅 686 0

设计SiC逆变器有哪些流程

SiC（碳化硅）逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。设计SiC逆变器需...

2024-01-10 标签：元器件逆变器 SiC 529 0

SiC和GaN市场未来如何发展

氮化镓融资方面，今年融资数量最多的反倒是材料细分领域，相关材料企业有晶湛半导体、进化半导体、镓仁半导体。其中士兰明镓融资规模最大，达12亿人民币，投资方...

2024-01-10 标签：智能电网光伏 SiC 282 0

碳化硅功率器件的工作原理、优势及应用前景

随着科技的不断进步，电力电子技术在能源转换、电机控制、电网管理和可再生能源系统等领域的应用越来越广泛。碳化硅（SiC）作为一种优秀的半导体材料，具有高频...

2024-01-10 标签：半导体功率器件 SiC 677 0

基于SiC的电动汽车用纯电驱动单元研究

《节能与新能源汽车技术路线图2.0》明确了汽车技术“低碳化､信息化､智能”化发展方向｡预计到2035年,节能与新能源汽车销售晕占比达到50%｡

2024-01-09 标签：电动汽车新能源汽车控制器 846 0

碳化硅器件封装与模块化的关键技术

碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）器件封装与模块化是实现碳化硅器件性能和可靠性提升的关键步骤。

2024-01-09 标签：射频 SiC 碳化硅 436 0

碳化硅的特性、应用及动态测试

SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称，是一种用途广泛的材料。

2024-01-09 标签：半导体 SiC 碳化硅 891 0

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 标签：半导体功率器件 SiC 2703 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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