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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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晶体制备技术：碳化硅衬底成本降低的关键路径

液相法的核心在于使用石墨坩埚作为反应器，通过在熔融纯硅中加入助溶剂，提高其对碳的溶解度。在坩埚靠近壁面的高温区域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 标签：SiC 半导体器件碳化硅 769 0

碳化硅发展生逢其时

*文末有礼碳化硅（SiC) 正在改变人类能源控制和转换的方式，带来一场颠覆性变革。电动汽车、可再生能源、储能和不间断电源等许多应用都能通过SiC实现性...

2024-03-04 标签：晶圆 SiC 碳化硅 674 0

SiC MOSFET模块串扰应用对策

SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新技术的优良特性。

2024-02-19 标签：MOSFET 数字示波器 SiC 1221 0

目前存在哪些与800V电动汽车动力总成架构有关的设计和测试挑战

电动汽车 (EV) 普及率的上升激发了市场对优化设计、降低成本和提升车辆运行效率的需求，并为产品测试提出了新的难题。

2024-02-19 标签：电动汽车逆变器功率转换器 941 0

具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能

2024-02-19 标签：SBD SiC GaN 1335 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一种半导体器件，具有许多独特的特性，使其在高性能电力电子应用中具有优势。以下是SiC功率元器件的一些主要特征：碳化硅（Si...

2024-02-04 标签：功率器件 SiC 碳化硅 748 0

宽带隙半导体重塑交通运输行业

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美编辑整个交通运输行业正在经历一场彻底的变革，内燃机 (ICE) 汽车逐渐让位于污染更少的电动汽车...

2024-02-13 标签：二极管半导体 SiC 1053 0

基于SiC功率模块的高效逆变器设计方案

适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)

2024-01-26 标签：电容器逆变器 SiC 490 0

SiC功率元器件中浪涌抑制电路设计

只是由于SiC MOSFET的跨导比Si MOSFET的跨导小一个数量级以上，因此不会立即流过过大的直通电流。所以即使流过了直通电流，也具有足够的冷却能...

2024-01-25 标签：MOSFET 功率器件 SiC 452 0

碳化硅SiC功率器件的技术特点及其应用领域

随着能源转换和输电技术的发展，对高效、高速、高温工作的半导体器件需求日益增长。

2024-01-25 标签：半导体晶体管功率器件 1034 0

深度解读第三代半导体—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。

2024-01-24 标签：二极管 MOSFET 半导体 2853 0

了解栅极-源极电压浪涌

由于这种开关工作，受开关侧LS电压和电流变化的影响，不仅在开关侧的LS产生浪涌，还会在同步侧的HS产生浪涌。

2024-01-24 标签：MOSFET SiC 同步升压 659 0

碳化硅晶片的化学机械抛光技术研究

为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微...

2024-01-24 标签：SiC 晶片碳化硅 1992 0

SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。

2024-01-20 标签：新能源汽车 MOSFET 晶体管 1071 0

100kW碳化硅三相并网逆变器设计

摘要：随着人们环保意识的不断提高，传统的化石能源越来越无法满足人们的要求，以太阳能为代表的可再生新能源逐渐引起人们的关注。而并网逆变器作为新能源与电网连...

2024-01-19 标签：逆变器 IGBT 晶体管 1920 0

碳化硅晶片为什么存在C面和Si面

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。

2024-01-18 标签：半导体 SiC 晶片 1690 0

一种结合了SiC和GaN优势的晶体管

这是电力电子领域令人兴奋的时代。在硅占据主导地位数十年后，两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开始占领价值数十亿美元的市场。例如，碳化硅现在是电动汽...

2024-01-18 标签：半导体晶体管 SiC 361 0

碳化硅功率器件的应用与市场前景

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功...

2024-01-17 标签：半导体功率器件 SiC 713 0

碳化硅单晶衬底的常用检测技术

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向...

2024-01-17 标签：半导体晶体管 SiC 2261 0

半导体碳化硅(SiC)行业研究

第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三...

2024-01-16 标签：半导体 SiC 碳化硅 1000 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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