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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiC外延层的缺陷控制研究

探索SiC外延层的掺杂浓度控制与缺陷控制，揭示其在高性能半导体器件中的关键作用。

2024-01-08 标签：半导体半导体技术 SiC 1841 0

什么是IGBT的膝电压？

转眼2024年的第一个周末了，也许只有到了隆冬，我们才会知道，我们身上有着一个不可战胜的夏天。之前在聊到特斯拉减少75% SiC用量的话题时，我们聊了H...

2024-01-07 标签：半导体 IGBT PN结 1381 0

什么是800V高压架构？800V高压架构的多种方案

越来越多的车企向800V高压平台进军。那么800V高压仅仅是指快充系统么？它到底为何能成为车企技术中的“香饽饽”？400V和800V的电动车在用车体验上...

2024-01-06 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1325 0

碳化硅功率器件的优势及应用

传统的硅基功率器件在应对这一挑战时，其性能已经接近极限。碳化硅（SiC）功率器件的出现，为电力电子行业带来了革新性的改变，成为了解决这一问题的关键所在。

2024-01-06 标签：功率器件 SiC 氮化镓 420 0

使用仿真模型进行拓扑分析

过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件...

2024-01-05 标签：安森美仿真模型功率器件 859 0

雷达电子设备组件金刚石/铜复合材料散热基板热性能研究

随着电子技术的不断发展，现代电子设备愈发往体积小、重量轻的方向发展，性能和功能越来越强大，集成度越来越高，内部热量的排散问题就更为突出。

2024-01-04 标签：雷达 SiC 复合材料 852 0

SiC功率模块的液冷散热设计与节能分析

为综合评估SiC功率模块的液冷冷板散热效果，设计了串联、并联与串并联三种冷板流道结构，从器件温升、系统能效、散热性能三个方面共计10项指标评估了冷板性...

2024-01-04 标签：MOSFET 功率器件 SiC 1466 0

3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表现出巨大的应用前景，其中金属-氧化物-场效应晶体管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 标签：MOSFET 光伏晶体管 2143 0

未来SiC模块封装的演进趋势

ASMPT 太平洋科技有限公司是全球领先的先进半导体封装设备及微电子封装解决方案的最主要的供应商，SilverSAM 银烧结设备具备专利防氧化及均匀压力...

2024-01-03 标签：MOSFET 散热器半导体封装 794 0

碳化硅功率器件的优势、应用以及未来发展趋势介绍

随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种优秀的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。

2024-01-03 标签：逆变器电机驱动功率器件 1127 0

功率模块铜线键合工艺参数优化设计方案

为了提高功率模块铜线键合性能，采用6因素5水平的正交试验方法，结合BP（Back Propaga‐tion）神经网络与遗传算法，提出了一种铜线键合工艺参...

2024-01-03 标签：SiC 功率模块键合 677 0

聊聊SiC在电动汽车上的应用

上期EV焦点栏目我们聊了聊电动汽车为什么要上800V，也大致了解了SiC和800V互相成就的关系。今天这期，我们相对放大一下，聊聊SiC在电动汽车上的应用。

2024-01-02 标签：电动汽车 MOSFET 电池充电 992 0

基于SiC功率模块的高效逆变器设计

关键技术-SiC门驱动回路/电容器通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感

2024-01-02 标签：电容器逆变器 SiC 296 0

碳化硅助力实现PFC技术的变革

碳化硅（SiC）功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域。近些年来，汽车行业向电力驱动的转变推动了碳化硅（SiC）应用的增长，也...

2024-01-02 标签：IGBT 晶体管 PFC 1072 0

如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围

作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美编辑功耗密集型应用的设计人员需要更小、更轻、更节能的电源转换器，能够在更高电压和温度下工作。在电动...

2024-01-01 标签：MOSFET 大功率电源转换器 629 0

使用Cauer网络仿真热行为与对开关损耗影响的评估

2023-12-29 标签：安森美 SiC 热仿真 1606 0

如何实现一种7.5kW电动汽车碳化硅逆变器的设计呢？

第三代功率半导体碳化硅SiC具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点，能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 标签：电动汽车逆变器散热器 1727 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生长、特性、应用）、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜，TEM，SEM/散射光等...

2023-12-28 标签：SEM SiC TEM 2467 0

碳化硅功率器件的优势、应用及发展

随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其独特的物理特性，如高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等，在功率器件领域展...

2023-12-28 标签：半导体功率器件 SiC 493 0

碳化硅器件封装技术解析

碳化硅（ SiC ）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 标签：电力系统封装技术 SiC 2043 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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