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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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英飞凌在200mm碳化硅(SiC)产品领域取得了重大进展,计划在2025年第一季度向客户推出首批基于这一先进技术的产品。这些创新产品将在奥地利的菲拉赫生...
近日,环球晶董事长徐秀兰表示,主流6英寸碳化硅(SiC)衬底的价格已经稳定,但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8英寸SiC衬底,尽管2025...
近日,英飞凌宣布了一项重要进展:将于本季度向客户交付首批基于先进的200mm(即8英寸)晶圆SiC(碳化硅)技术的产品。这一消息的发布,标志着英飞凌在S...
众所周知,几乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圆上制造的,使用更大的晶圆存在重大挑战。从 200 毫米晶圆出货器件是降低 SiC 器件成本的关键...
英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:开始交付首批产品
2月18日,英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术...
英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:开始交付首批产品
英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200mm碳化硅(SiC)晶圆制造技术的SiC产品这些产品在奥地利菲拉赫生产,为高压应用领域提供一流的SiC功率技术2...
近日,西永微电园华润微电子举办功率模块新品发布会。发布了基于高压超结MOS、IGBT、SiC的多种PIM模块、车规主驱模块及IPM模块等系列新品主要应用...
2月11日上午,在合肥市经开区领导、战略投资方代表及数十家新能源汽车和eVTOL航空器头部企业百余位嘉宾的共同见证下,钧联电子安徽省首条先进工艺SiC车...
BTP1521P解决IGBT模块升级SiC模块的正负驱动电压
SiC模块在高频高效、高温耐受性、高电压能力、系统经济性以及应用场景适配性等方面的综合优势,使其成为电力电子应用中的首选,推动了IGBT模块向SiC模块...
导通电阻骤降21%!Wolfspeed第4代SiC技术平台解析
电子发烧友网综合报道 2月12日,Wolfspeed宣布推出全新的第4代SiC MOSFET技术平台,该平台从设计端就考虑耐久性和高效性,同时还能降低系...
2025-02-13 标签:SiC 479 0
125KW工商业储能变流器SiC模块取代老旧IGBT模块方案的技术优势
倾佳电子杨茜分析在125kW工商业储能变流器(PCS)应用中,国产SiC(碳化硅)模块全面取代传统老旧IGBT模块的技术优势主要体现在以下方面: 倾...
近日,西安易星新材料有限公司(简称“易星新材料”)成功宣布完成数千万元的Pre-A轮融资。本轮融资由西高投旗下基金独家出资,为公司未来的发展注入了强劲动力。
高频感应电源国产SiC碳化硅模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比
倾佳电子杨茜以50KW高频感应电源应用为例,分析BASiC基本股份国产SiC模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比: 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳...
英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖,CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目
英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的...
新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离
新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬电距离采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiCMO...
英飞凌科技:看好新能源汽车和AIoT市场增长潜力,打造创新产品为客户增加价值
英飞凌科技表示:“2024 财年,英飞凌表现良好,业绩符合预期。回顾近几年,电子行业既承载了低碳化数字化转型带来的机遇,也面临着由市场波动和不确定性带来...
来源:新华网 我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件 以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。...
AMAZINGIC晶焱科技技术应用:典范转移 EV全生态系商机 - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
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