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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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模块化碳化硅（SiC）器件评估的深入分析

碳化硅(SiC)的高性能能力正在改变功率电子领域的格局，带来了诸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的热性能等好处。值得注意的是，汽车应用正从SiC技术中...

2024-05-06 标签：SiC 模块化碳化硅 1024 0

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET

纳芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展现了出色的导电性能。这款产品提供...

2024-05-06 标签：MOSFET SiC 纳芯微 660 0

SiC正在成为储能主流，相关行业即将爆发？

电子发烧友网报道（文/黄山明）在当前的储能系统中，尤其是涉及到高压、高频、高效能应用时，宽禁带半导体材料如SiC（碳化硅）正越来越受到青睐，因为这种材料...

2024-04-29 标签：MOSFET IGBT SiC 3910 0

2000V SiC分立器件双脉冲或连续PWM评估板

开发EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板的目的是评估TO-247 PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000V碳化硅MOSFET。评...

2024-05-14 标签：PWM 分立器件 SiC 420 0

TPAK SiC优选解决方案：有压烧结银+铜夹Clip无压烧结银

2024-04-25 标签：SiC 碳化硅 Clip 695 0

扬杰科技携重点产品及解决方案精彩亮相CESC2024中国国际储能大会

CESC2024中国国际储能大会暨智慧储能技术及应用展览会于2024年4月23日在南京新国际博览中心拉开帷幕，扬杰科技带着最新一代的产品和技术亮相，围绕...

2024-04-24 标签：新能源 MOSFET 汽车电子 579 0

罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供应合同

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体（以下简称“ST”）宣布，...

2024-04-23 标签：半导体晶圆 SiC 519 0

中车半导体获电投融合创新基金投资

中车半导体近日获得了电投融合创新基金的投资。电投融合创新基金是由国家电投产业基金联合常州市产业投资基金（有限合伙）、常州市武进区基金及其他国有资本共同发...

2024-04-23 标签：新能源汽车半导体晶闸管 814 0

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半导体结

尽管传统高压平面MOSFET取得了进步，但由于阻断或漏源击穿电压因厚度、掺杂和几何形状而变化，因此局限性仍然存在。本文将讲解超级结MOSFET(例如意法...

2024-04-23 标签：SiC GaN 功率半导体 404 0

SiCrystal与意法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应

罗姆与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm（...

2024-04-23 标签：晶圆意法半导体驱动IC 459 0

合肥世纪金芯签下2亿美元SiC衬底片大单，产能将大幅提升

据了解，世纪金芯近期在8英寸SiC衬底片领域取得重要突破，成功开发出可重复生长出4H晶型、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体的8寸SiC单晶生长技术。

2024-04-23 标签：晶体 SiC 衬底 1108 0

车载逆变器需求旺盛，加速向SiC转变

电子发烧友网报道（文/李宁远）在很多日常电气设备的使用场景中，逆变器都充当了不可或缺的重要角色。逆变器的应用场景非常多，比如汽车旅游、野外作业、应急电源...

2024-04-23 标签：逆变器车载逆变器 SiC 4491 0

英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术

英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的 CoolSiC™ MOSFE...

2024-04-20 标签：电动汽车英飞凌 MOSFET 1049 0

SiC器件工作原理与优势

碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具备高电子迁移率、高热导率以及高击穿电场强度等特点。这些特性使得SiC器件在高温、高电压和高频率下依然能够稳定工作，同时比...

2024-04-18 标签：电机控制器功率器件 SiC 782 0

纳芯微发布首款车规级1200V SiC MOSFET

为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。

2024-04-18 标签：MOSFET SiC 碳化硅 458 0

颇有前景的半导体替代材料：SiC和GaN适用范围及优缺点介绍

自1954年以来，硅一直是先进技术发展的重要基石。人们普遍认为，硅作为电子元件基础结构核心材料的地位不可动摇。

2024-04-17 标签：电动汽车半导体电机驱动 1738 0

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-2...

2024-04-17 标签：MOSFET SiC 体二极管 703 0

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-2...

2024-04-17 标签：MOSFET SiC 纳芯微 413 0

安富利推出了SiC高功率密度3.3KW双向功率PFC电源解决方案

在储能领域，一款高效的电源解决方案不仅能够提升能源转换效率，还能为电力系统的稳定运行提供坚实保障。

2024-04-17 标签：MOSFET 安富利 SiC 696 0

碳化硅制备的重要性与难点和挑战

这种耐高温、承受高电压、导热性能好到惊人的材料，让它在半导体、航空航天、电力电子等多个领域成为了革命性的材质选择。换句话说，没有碳化硅，许多现代技术根本...

2024-04-16 标签：电动汽车电力系统 SiC 596 0

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逆变器将直流电转化为交流电，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。对大容量的逆变器，由于直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变器中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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