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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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英飞凌联手安克创新与盛弘电气，加速SiC与GaN技术应用

2024-02-02 标签：英飞凌半导体 SiC 720 0

红旗M190/M220双电机电驱首台A样机试制成功

据悉，红旗M190/M220双电机项目主要依托于强大的高压平台、高效的SiC功率模块以及4台扁线电机扭矩矢量电驱系统进行研发。其中，M190电机采用了高...

2024-02-02 标签：电机 SiC 功率模块 755 0

嘉兴斯达微电子高压特色工艺功率芯片产业化项目首台设备搬入

该项目坐落在浙江嘉兴市南湖区，总投资高达1.3亿人民币，旨在建立专门的生产工厂以研发与批量生产全套高压特色工艺功率芯片；此外，项目还设有先进的洁净生产空...

2024-02-01 标签：工艺 SiC 功率芯片 1151 0

英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格...

2024-02-01 标签：英飞凌 MOSFET SiC 796 0

英飞凌与Wolfspeed延长硅碳化（SiC）晶圆供应协议

英飞凌技术公司与美国北卡罗来纳州达勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家专门生产碳化硅（SiC）材料和功率半导体器件的制造商 — 已经扩大并延长了他们...

2024-01-30 标签：英飞凌晶圆 SiC 493 0

基于碳化硅技术的汽车充电方案布局加速！广汽等4家企业采用

2024年以来，包括广汽集团等4家企业均推出了基于碳化硅技术的汽车充电方案，意味着碳化硅有望在充电基础设施领域实现大规模应用

2024-01-29 标签：SiC dcdc转换器碳化硅 3206 0

索尼银行投资三菱机电，扩大SiC产能

三菱电机株式会社是一家成立于1921年的通用电子制造商，致力于“半导体于器件”业务领域发展。三菱根据国际资本市场协会 (ICMA)实施的“绿色债券原则2...

2024-01-29 标签：三菱电机功率器件 SiC 740 0

瞄准SiC MOS出货量飙升，五大策略应对市场挑战

截至2023年，1200V碳化硅器件累计出货超过了2400万颗，得到了新能源汽车、消费电子以及工业市场的客户好评。其中SiC MOSFET营收迅速提升，...

2024-01-29 标签：MOSFET MOS SiC 728 0

SiC规模将超560亿？

结合全球功率半导体市场数据推算，2022年SiC功率半导体的渗透率为4.85%，2023年渗透率为6.53%，2028年预计将达到18.58%左右。

2024-01-25 标签：SiC 功率半导体碳化硅 373 0

科友提前布局：SiC行业下半场是8吋时代

2023年业内有多家企业陆续推出8英寸碳化硅衬底，成为市场热点，呈现出加速替代6英寸衬底的势头。我们认为，碳化硅行业的下半场就是8英寸的时代，谁的8英寸...

2024-01-25 标签：SiC 碳化硅 250 0

英飞凌与Wolfspeed延长SiC晶圆供应协议

为了满足不断增长的碳化硅器件需求，我们正在落实一项多供应商战略，从而在全球范围内保障对于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源

2024-01-25 标签：英飞凌晶圆 SiC 176 0

SiC市场供需之变与未来趋势

从行业趋势看，SiC上车是大势所趋。尽管特斯拉曾在2023年3月的投资者大会上表示，将减少75%的SiC用量，一度引发SiC未来发展前景不明的猜测，但后...

2024-01-24 标签：MOSFET 逆变器导通电阻 848 0

炽芯微电开业！专注于碳化硅塑封功率模块封测研发

1月19日，炽芯微电子科技（苏州）有限公司（以下简称“炽芯微电”）在恒泰智造·苏州纳米城Ⅴ区开业。

2024-01-24 标签：IGBT SiC 功率模块 929 0

国内外碳化硅产品标准比对分析

碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点，是具有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料。

2024-01-24 标签：SiC 碳化硅宽禁带半导体 1723 0

理论性能远超SiC？GaN功率二极管的发展历程

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）氮化镓功率器件的大规模应用，是从2018年开始的。自手机快充功能在市场上迅速普及，经过数年的发展，氮化镓HEMT器件早已被...

2024-01-24 标签：功率二极管功率器件 SiC 2922 0

SiC巨头的2024，很悲观

Wolfspeed 的问题源于其另一家工厂的生产混乱，该工厂是最大的碳化硅晶圆制造商之一。晶圆是其芯片的基础，供应不足正在抑制莫霍克谷芯片工厂的生产。

2024-01-23 标签：晶圆 SiC 碳化硅 1187 0

半导体硅片行业报告，国产替代进程加速

第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁...

2024-01-23 标签：半导体材料 SiC 氮化镓 894 0

索尼银行投资三菱机电300亿日元债券扩大SiC产能

1月15日，日本索尼银行官网公布关于投资三菱电机株式会社发行绿色债券的公告称，已经投资了该债券，希望通过提高SiC功率半导体的产能，实现脱碳社会。

2024-01-22 标签：索尼三菱硅晶圆 776 0

一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

共读好书碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻...

2024-02-21 标签：MOSFET 半导体封装 1289 0

安建半导体推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片...

2024-01-20 标签：MOSFET SiC 碳化硅 1415 0

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无线供电，是一种方便安全的新技术，无需任何物理上的连接，电能可以近距离无接触地传输给负载。实际上近距离的无线供电技术早在一百多年前就已经出现，而我们现在生活中的很多小东西，都已经在使用无线供电。
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逆变器将直流电转化为交流电，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。对大容量的逆变器，由于直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变器中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。
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DC/DC表示的是将某一电压等级的直流电源变换其他电压等级直流电源的装置。DC/DC按电压等级变换关系分升压电源和降压电源两类，按输入输出关系分隔离电源和无隔离电源两类。例如车载直流电源上接的DC/DC变换器是把高压的直流电变换为低压的直流电。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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