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采用SiC MOSFET的高性能逆变焊机设计要点

/引言/近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiCMOSFET12...

2023-06-13 标签：MOSFETSiC 1210 0

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

作者简介作者：FriedrichsPeter翻译：赵佳碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应...

2023-04-13 标签：MOSFETSiC 831 0

【世说芯品】Microchip推出全新MPLAB® SiC电源模拟器，助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案

电气化正在推动SiC半导体的增长，由于其具备快速开关能力、更低的功率损耗和更高的温度性能，电动汽车、可持续发展和工业等大型细分市场都转向SiC电源解决方...

2023-04-09 标签：电源SiC模拟器 667 0

AEC---SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究

摘要：碳化硅（SiC）由于其优异的电学及热学特性而成为一种很有发展前途的宽禁带半导体材料。SiC材料制作的功率MOSFET很适合在大功率领域中使用，高温...

2023-04-04 标签：MOSFETSiC 1457 0

是时候从Si切换到SiC了吗？

作者简介作者：UweJansen翻译：陈子颖在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiCMOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化...

2023-03-31 标签：SiC碳化硅 509 0

SiC MOSFET的短沟道效应

原文标题：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：Thoma...

2023-03-31 标签：MOSFETSiC 969 0

汽车功率半导体深度：IGBT方兴未艾，SiC势在必行

贞光科技从车规微处理器MCU、功率器件、电源管理芯片、信号处理芯片、存储芯片、二、三极管、光耦、晶振、阻容感等汽车电子元器件为客户提供全产业链供应解决方...

2023-03-09 标签：半导体IGBTSiC 468 0

SIC功率器件在汽车电驱动系统的作用

一直以来汽车三大件的说法还是很深入人心的，从燃油车为人熟知的发动机、变速箱、底盘，再到新能源车电池、电机、电控。事实上，这是一个非常笼统的叫法，我们知道...

2023-01-31 标签：驱动SiC汽车 1482 0

是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案

作者简介作者：sureshthangavel翻译：赵佳与硅技术相比，SiCMOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特...

2023-01-17 标签：逆变器SiC 774 0

SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？

众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的...

2023-01-12 标签：MOSFETSiC 1188 0

学技术 | 世平安森美碳化硅（SiC）MOSFET产品的特性与应用

一、第三代半导体介绍：首先简单介绍一下第一、二代半导体。在半导体材料领域中，第一代半导体是「硅」（Si），第二代半导体是「砷化镓」（GaAs），第三代半...

2022-11-21 标签：SiC碳化硅 2342 0

看直播 | @11/24 能源危机引爆储能商机－安森美ESS储能系统碳化硅方案攻略

全球极端气候造成的灾害已严重威胁人类生存环境，如何节能减碳并提高再生能源比例已经成为全球趋势。特别在2050年全球净零碳排的目标下，世界各国无不投入庞大...

2022-11-21 标签：SiC 340 0

功率半导体器件(IGBT、MOSFET和SiC)设计企业：上海陆芯获数亿元D轮融资，强化车规级功率器件市场突破

月初，上海陆芯电子科技有限公司（下文简称上海陆芯）由多家战略投资方携手引领的数亿元D轮融资已经落实，投资方包括盛宇华天产业基金等，将为上海陆芯加快全面复...

2022-06-20 标签：SiC 1254 0

芯片的雕刻刀！揭秘走在国产替代前列的刻蚀设备

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布：公司已与华中科技大学电气与电子工程学院达成深度战略合作协议，双方将携手研发针对碳化硅（SiC...

2022-05-18 标签：电阻电容SiC 341 0

5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5....

2022-01-06 标签：SiC 855 0

6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往...

2022-01-26 标签：SiC 908 0

当.XT技术遇上SiC单管

英飞凌于2020年发布了基于.XT技术的D2PAK-7L封装1200VSiCMOSFETSMD系列产品，导通电阻从350mohm到30mohm，覆盖功率...

2022-05-10 标签：SiC 907 0

5.3.1.2 杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.1.2杂质5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往...

2022-01-06 标签：SiC 710 0

5.3.2 载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.2载流子寿命“杀手”5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件...

2022-01-06 标签：SiC 794 0

5.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.2.1寿命控制5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用...

2022-01-06 标签：SiC 730 0