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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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陆芯:单管IGBT、IGBT模块、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领
上海陆芯电子科技有限公司成立于2017年5月,是专业从事最新一代功率半导体研发、生产和销售的高新技术企业。公司掌握核心技术、拥有国际一流的设计能力和工艺...
8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.6功率JFET器件的实现8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8....
2022-02-21 标签:SiC 763 0
8.1.5 增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.5增强型和耗尽型工作模式8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8....
2022-02-20 标签:SiC 527 0
7.3.1 大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.3.1大注入与双极扩散方程7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3...
2022-02-11 标签:SiC 763 0
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往...
2022-01-25 标签:SiC 1070 0
6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.8其他方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应...
2022-01-11 标签:SiC 707 0
9.1.3 端电流∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.3端电流9.1双极结型晶体管(BJT)第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD...
2022-03-14 标签:SiC 269 0
7.3 pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.2肖特基势磊二极管(SBD)∈《...
2022-02-10 标签:SiC 870 0
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6....
2022-01-24 标签:SiC 1591 0
6.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.1SiC特有的基本现象6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表...
2022-01-05 标签:SiC 719 0
8.2.3 MOSFET电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.3MOSFET电流-电压关系8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器...
9.3 晶闸管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3晶闸管第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选...
2022-03-25 标签:SiC 328 0
6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》...
2022-01-24 标签:SiC 706 0
7.1.2 单极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.1.2单极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7....
2022-02-07 标签:SiC 545 0
6.3.4.7 电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.7电导法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用...
2022-01-12 标签:SiC 584 0
6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件...
2022-01-10 标签:SiC 827 0
6.3.5.5 界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.5界面的不稳定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生...
2022-01-19 标签:SiC 664 0
7.1.1 阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.1.1阻断电压7.1SiC功率开关器件简介第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.5总结∈《碳化...
2022-02-07 标签:SiC 809 0
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