sic

7.1.3 双极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.1.3双极型功率器件优值系数7.1SiC功率开关器件简介第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7....

2022-02-09 标签：SiC 593 0

8.2.12.1-4 开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.12.1开通过程，0

2022-03-08 标签：SiC 383 0

6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.2n型区的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅...

2022-01-06 标签：SiC 966 0

6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.3p型区的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅...

2022-01-06 标签：SiC 959 0

​９.１.２增益参数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.２增益参数９.１双极结型晶体管（BJT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPL...

2022-03-11 标签：晶体管SiC 306 0

6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6...

2022-01-24 标签：SiC 1140 0

6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.2氧化硅的介电性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.1氧化...

2022-01-04 标签：SiC 1134 0

6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、...

2022-01-13 标签：SiC 906 0

6.3.4.5 高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.5高低频方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和...

2022-01-10 标签：SiC 531 0

９.２.１　电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.２.１电流-电压关系９.２绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产...

2022-03-21 标签：电压SiC 403 0

8.2.10.1 影响反型层迁移率的机理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.10.1影响反型层迁移率的机理8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅...

2022-03-03 标签：SiC 562 0

6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.2.3湿法腐蚀∈《...

2022-01-04 标签：SiC 849 0

6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表...

2022-01-18 标签：SiC 893 0

6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.5总结第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长...

2022-01-27 标签：SiC 1204 0

7.3.2 “i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3.2“i”区中的载流子浓度7.3pn与pin结型二极管第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7....

2022-02-14 标签：SiC 614 0

6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.3湿法腐蚀6.2刻蚀第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理—...

2022-01-04 标签：SiC 806 0

8.2.1 MOS静电学回顾∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.1MOS静电学回顾8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》...

2022-02-22 标签：MOSSiC 763 0

6.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.4Terman法6.3.4.3确定表面势6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基...

2022-01-07 标签：SiC 1084 0

8.2.11 氧化层可靠性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.11氧化层可靠性8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往...

2022-03-07 标签：SiC 466 0

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内...

2022-01-21 标签：SiC 1081 0