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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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2022年3月,昕感科技完成超亿元A轮融资,由蓝驰创投领投,博裕资本、水木清华校友基金、海南赢玺投资有限公司、北京锎澜投资管理有限公司参与融资。融资主要...
满足AEC-Q101标准的SiC MOSFET又增10个型号,业界丰富的产品阵容!
ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,该系列产品“支持汽车电子产品可靠性标准AE...
经过在SiC赛道长达十年甚至更久的技术及硬件积累,上述这些SiC芯片供应商们由于特定的历史条件,大多是IDM模式,而且如今包括ST、安森美、罗姆等多家厂...
这家美国制造商称,这两款设备的功率分别为200kW和400kW,得益于SiC MOSFET的开关频率是硅IGBT的20倍,SiC组件为 400 kW 逆...
瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM
RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
2月2日,知名投资界媒体投中网发布了2022年度“投中·锐公司100”榜单,瞻芯电子入榜。 该榜单由投中研究院提供,从企业外部关注度、产业协同性以及...
SiC晶体管是天然的E型MOSFET。这些器件可在高达1 MHz的频率下进行开关,其电压和电流水平远高于硅MOSFET。
虽然SiC在电子应用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作为半导体材料的使用直到1990年代才开始真正获得关注。正是在这一点上,它首次用于肖特基二极管...
随着碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料在二极管、场效应晶体管(MOSFET)和其他元件中的不断应用,电力电子行业的技术革命已经开始。这些新组...
第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等,适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件,可用于卫星、汽车、雷达、工业、...
随着硅接近其物理极限,电子制造商正在转向非常规半导体材料,特别是宽带隙(WBG)半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。由于宽带隙材料具有相对...
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被称为“宽带隙半导体”(WBG)。在带隙宽度中,硅为1.1eV,SiC为3.3eV,GaN为3.4eV,因此宽带隙...
WBG化合物半导体具有更高的电子迁移率和更高的带隙能量,因此其财产优于硅。由WBG化合物半导体制成的晶体管具有较高的击穿电压和耐高温性。这些器件在高...
碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。通常采用物理气相传输法(PVT法)制备碳化硅单晶,再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法...
IGBT、SiC国产化率加速攀升 碳化硅行业迎来快速发展机遇期
分 8 寸和 12 寸厂看,2022 年第四季度 8 寸晶圆厂的主力台积电、联电、世界先进、力积 电和中芯国际的产能利用率预计分别下降到 97%/90%...
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