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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiC器件如何改变半导体行业的面貌

碳化硅成分，碳和硅分别是银河系中第四大和第八大元素。尽管如此，它很少自然地出现在地球上，只有在陨石和一些岩石沉积物中发现的微小痕迹。不过，它可以很容易地...

2022-08-08 标签：MOSFET 半导体 SiC 619 0

汽车应用中的宽带隙材料

宽带隙半导体 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，与硅相比具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和工作电压。EV ...

2022-08-08 标签：SiC GaN 碳化硅 877 0

工业家合作满足 GaN 和 SiC 市场需求

GaN和 SiC令人印象深刻的品质使它们深受业内人士的喜爱。然而，它带来了满足生产和供应需求的挑战，因此专业人士、投资者和工业家正在合作以确保足够的可用...

2022-08-08 标签：SiC GaN 863 0

简要介绍筛选后器件经过马拉松（Marathon）实验的典型结果

目前针对SiC的研究已相当深入，仍有不少人关注SiC材料的栅氧能力，本文对此再做一个简要介绍。如图1所示，相较于Si基材料，SiC与SiO2栅氧层界面缺...

2022-08-05 标签：功率器件 SiC 派恩杰 1779 0

可靠性、创新、整体解决方案……碳化硅的新高度

对碳化硅 (SiC) 技术的需求持续增长，该技术可最大限度地提高当今电力系统的效率，同时减小其尺寸、重量和成本。但是 SiC 解决方案并不是硅的直接替代...

2022-08-05 标签：半导体 SiC 碳化硅 721 0

用于SiC应用的低电感可编程栅极驱动器模块

碳化硅半导体 (SiC) 在工业产品的效率、更高的外形尺寸和工作温度方面提供了创新技术。SiC 技术现在被广泛认为是硅的可靠替代品。许多功率模块和功率逆...

2022-08-05 标签：驱动器可编程 SiC 839 0

高压宽带隙谐振转换器中MLCC的设计注意事项

在 SiC 逆变器中，DC-Link 电容器需要能够处理高纹波电流、高电压、高温 (150C) 和高频。H 桥中的缓冲电容器需要能够处理高 dV/dt、...

2022-08-05 标签：MLCC 逆变器 SiC 1123 0

碳化硅 (SiC) FET 推动电力电子技术发展

甲碳化硅（SiC） JFET是一结基于常导通晶体管类型，它提供了最低的导通电阻R DS（ON）的每单位面积和是一个强大的设备。与传统 MOSFET 器件...

2022-08-05 标签：半导体电力电子 FET 1156 0

从瓦特到兆瓦：碳化硅的优势及性能

设计人员当然对碳化硅感兴趣，因为它具有潜力。这种潜力包括：在不损失效率的情况下实现高频开关——这意味着更快的开关和更低的开关损耗。导通电阻 (RDS...

2022-08-05 标签：半导体 SiC 碳化硅 1098 0

测试、测量试验，确认 GaN 技术的价值

通过测试和测量持久力来评估电子设备的质量和耐用性。评估氮化镓 (GaN)价值的测试势在必行，因为它自诞生以来就具有巨大的潜力，可以实现更高效的功率转换，...

2022-08-05 标签：半导体工业 SiC 1201 0

用于 5G 行业的射频功率半导体

使用 WBG 材料的射频功率半导体解决了 5G 应用中的许多技术挑战，缩小了与旧的基于硅的技术之间的差距。 5G 技术的进步正在推动半导体行业面临新的技...

2022-08-05 标签：射频 SiC GaN 1447 0

电源设计说明：让我们使用SiC MOSFET构建双向降压-升压转换器

随着高效蓄能器（电池和超级电容器）的大量使用，趋势是朝着更好的电流管理方向发展。双向 DC/DC 转换器可以保持电池健康并延长其使用寿命。

2022-08-05 标签：MOSFET 电源设计升压转换器 798 0

使用 WBG 半导体进行设计需要更多的奉献精神

工程师熟悉电磁干扰、并联和布局，但在从硅基芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。据chip称，硅（Si）基半导体比宽带隙（WBG）半导体领先十...

2022-08-05 标签：半导体设计 SiC 947 0

碳化硅、氮化镓：注意带隙

近年来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙（WBG）半导体受到了广泛关注。这两种化合物都可以承受比硅更高的频率、更高的电压和更复杂的电子产品。S...

2022-08-05 标签：电动汽车半导体 SiC 910 0

使用SiC实现太阳能和可再生能源功率转换

Wolfspeed SiC 目前支持广泛的应用，因为事实证明，基于 SiC 的解决方案比传统的基于 Si 的解决方案具有更高的效率、功率密度和系统成本效...

2022-08-04 标签：功率转换 SiC 可再生能源 533 0

如何消除SiC MOSFET——栅极电路设计中的错误及其对稳健性的影响

为什么需要关注 SiC MOSFET 栅极？尽管具有传统的 SiO 2栅极氧化物，但该氧化物的性能比传统 Si 基半导体中的经典 Si-SiO 2界面更...

2022-08-04 标签：电容器二极管 MOSFET 1523 0

最大限度地减少SiC FET中的EMI和开关损耗

SiC FET 速度极快，边缘速率为 50 V/ns 或更高，这对于最大限度地减少开关损耗非常有用，但由此产生的 di/dt 可能达到每纳秒数安培。这会...

2022-08-04 标签：emi FET SiC 1135 0

关于碳化硅的 10 件事

碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机...

2022-08-04 标签：半导体 SiC 碳化硅 1776 0

使用 Si 和 SiC 器件的电力电子教育工具箱

我们知道，技术教育不仅需要理论知识，还需要实践知识和动手经验，让学生在电路层面理解更深层次的概念。2 Labs 实际上帮助学生理解诸如电路设计概念之类的...

2022-08-04 标签：设计电力电子 SiC 493 0

电源设计说明：使用SiC进行蒙特卡罗分析

图 1中的图表显示了一个典型的 RC 电路，其中电容器充电的时间取决于时间常数。准确地说，RC秒后电压达到电源电压的63%左右。在这种情况下，电容器两端...

2022-08-04 标签：电源设计升压转换器 DC-DC转换器 682 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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