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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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用于电动汽车下一个高压应用的碳化硅

目前，标准硅器件仍占电力电子市场的大部分。虽然许多公司正在开发新的电路拓扑以提高硅器件的效率，尤其是三电平拓扑，但新的碳化硅解决方案正在作为一种新的半导...

2022-08-04 标签：半导体 SiC 碳化硅 592 0

罗姆阿波罗工厂新建 SiC 功率器件生产设施

日本筑后罗门阿波罗工厂增建了一座新厂房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生产能力。这个新工厂包括工厂自动化和可再生节能技术，以实现更绿色的制造过程。 ...

2022-08-04 标签：半导体功率器件 SiC 640 0

SiC MOSFET的实时结温监控电路及其影响因素

两个重要变量（例如阈值电压和结温）之间的现有关系为变化，因为观察到 Lss' 上的电压发生了变化。由于 SiC MOSFET 的开尔文源和电源...

2022-08-04 标签：电容器 MOSFET MOS管 2086 0

SiC MOSFET 短路测试下的引线键合应力分析

电力电子技术在日常生活中越来越普遍，尤其是现在，当我们正经历一场由宽带隙 (WBG) 材料引发的革命时。 WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...

2022-08-04 标签：转换器 MOSFET SiC 1261 0

碳化硅 MOSFET 取代电动汽车双向充电器中的 IGBT

电动汽车 (EV) 以及更普遍的电动汽车的成功在很大程度上取决于为电池充电所需的时间。长期以来，电动汽车一直被认为是弱点之一，充电时间逐渐缩短，采用快速...

2022-08-03 标签：MOSFET 半导体 IGBT 2642 0

碳化硅嵌入式漏极 MOSFET 助力“登月火星”任务

晶圆键合是一种广泛用于开发和成功生产微机械传感器和执行器 (MEMS) 的工艺。由于它能够通过多个晶片的精确和牢固附着来实现复杂的微纳米结构，因此它肯定...

2022-08-03 标签：MOSFET 半导体嵌入式 674 0

用1,700V SiC MOSFET替换IGBT

Microchip 的新 SiC 产品系列通过采用具有更少部件和更简单控制方案的两电平拓扑克服了 IGBT 的困难。没有开关限制，功率转换单元可以减小尺...

2022-08-03 标签：MOSFET IGBT SiC 1217 0

改进碳化硅晶圆工艺

碳化硅在电动汽车和新能源等市场的重要性促使许多公司重新审视和投资晶圆技术，以制定符合需求的发展计划。 X-Trinsic 是一家旨在改进制造工艺并专注于...

2022-08-03 标签：半导体晶圆设计 1937 0

扩大碳化硅晶圆供应

在环境问题、国家法规和消费者压力的推动下，全球汽车电气化竞赛正在进行。碳化硅 (SiC)是一种宽带隙半导体，一直是电动汽车(EV)的技术加速器，因为它提...

2022-08-03 标签：半导体 SiC 碳化硅 292 0

SiC MOSFET栅极漏电流估计的原位方法

根据实际测量的栅极电流计算栅极漏电流是一项挑战。栅极电容器的充电和放电瞬态过程支配着栅极电流。电感器引入了二阶振铃，这使得计算过程更加复杂。上述挑战的解...

2022-08-03 标签：MOSFET SiC 漏电流 2992 0

SiC FET实现更高水平的设计灵活性的解决方案

为了满足设计人员对更高性能、更高效系统的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可实现更高水平的设计灵活性，最显着的是 750 V、6 m...

2022-08-03 标签：半导体场效应管 SiC 1151 0

使用1,200V碳化硅数字栅极驱动器降低开关损耗

在工业应用中，碳化硅半导体在效率、外形尺寸和工作温度方面提供尖端技术。SiC 技术现在被广泛接受为可靠的硅替代品。一些功率模块和功率逆变器制造商已在其产...

2022-08-03 标签：转换器驱动器 SiC 837 0

从硅到碳化硅(SiC) 有哪些好处和应用？

碳化硅 (SiC) 具有提高电动汽车整体系统效率的潜力。在太阳能行业，碳化硅逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算...

2022-08-03 标签：半导体 SiC 碳化硅 1694 0

碳化硅技术的挑战与未来展望

碳化硅 (SiC) 是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于制造用于高压应用的功率器件，例如电动汽车 (EV)、电源、电机控制电路和逆变器。与传统的硅基功率...

2022-08-03 标签：MOSFET SiC 碳化硅 1384 0

用于SiC MOSFET的栅极驱动器

STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-...

2022-08-03 标签：MOSFET 驱动器控制器 1818 0

一家全新的碳化硅创新公司

正海集团与罗姆已同意组建合资公司，创建新的功率模块公司。新公司名为“HAIMOSIC”，将于2021年12月在中国成立，正海集团旗下的上海正海半导体科技...

2022-08-03 标签：半导体 SiC 碳化硅 864 0

GaN和SiC功率器件的基础知识

在基本半导体特性（带隙、临界电场和电子迁移率）的材料比较中，GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特，临界电子场为 0.23 M...

2022-08-03 标签：半导体 SiC GaN 3450 0

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC（现为Qorvo）扩展了其突破性的第4代 SiC FET产品组合, 通过采用TO-247-4引脚封装的750V/6mOhm SiC F...

2022-08-01 标签：FET SiC UnitedSiC 1451 0

宽禁带材料测试

宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应...

2022-08-02 标签：半导体功率器件 SiC 1082 0

SiC扎根汽车领域

由于具备的多种属性，碳化硅（SiC）成为了电动车（EV）领域中重要的半导体技术，碳化硅器件的性能胜过传统硅（Si）器件。它的优势包括提高了电压额定值、功...

2022-08-09 标签：SiC 汽车 215 0

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董明珠

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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