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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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富昌电子SiC设计分享（四）：SiC MOSFET Desat设计注意事项

富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，进而缩短产品的设计周期、加快行业发展的步伐。在第...

2022-08-01 标签：富昌电子 SiC 2523 0

SiC 功率堆栈参考设计加速HV系统开发

电动汽车和可再生能源系统的电源管理解决方案必须降低性能和成本，同时缩短开发时间。

2022-07-29 标签：电动汽车驱动器 SiC 550 0

SiC 技术：采访 X-Trinsic 的 Robert Rhoades

半导体是电子电路中最常用的元件之一，具有高性能、可靠性和低成本。通常用于制造集成电路的半导体器件的生产包括一系列照相和化学处理步骤，最终在纯半导体材料晶...

2022-07-30 标签：半导体晶圆 SiC 458 0

SiC功率器件降低成本以推动采用

虽然包括开关速度和高温能力在内的技术优势现已广为人知，但成本仍然是一个争论点。PGC Consultancy 分析了 SiC 裸片成本，在本文和未来的文...

2022-07-29 标签：芯片半导体 SiC 1320 0

由第三代 SIC MOSFET 供电的电动汽车和工业应用

意法半导体最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对先进的功率应用（例如 EV 动力系统）和其他功率密度、能效和可靠性是相...

2022-07-29 标签：MOSFET 工业 SiC 957 0

半桥LLC谐振转换器中Si和SiC MOSFET的比较

LLC 谐振转换器可用于各种应用，如消费电子产品，以及可再生能源应用，如光伏、风能、水力和地热等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MO...

2022-07-29 标签：MOSFET SiC LLC 1802 0

宽带隙半导体：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC...

2022-07-29 标签：半导体 SiC GaN 542 0

先进汽车技术论坛:最新汽车设计技术的讨论

去年，电动汽车的发展速度比预期的要快。自动驾驶技术已经从短期优先目标推向长期目标，但与 AV 抢先的竞争依然激烈。高级汽车技术论坛将提供有关最新汽车设计...

2022-08-03 标签：半导体 SiC 汽车技术 607 0

关于能源未来的讨论

可再生能源、储能和电网是未来等式的一部分，绿色能源将取代全球老化的电力基础设施。PowerUP Expo 的小组讨论旨在在电力行业知名专家的帮助下解决这...

2022-08-05 标签：电网 SiC 能源 377 0

使用SiC的五电平单相转换器可降低开关电压应力

随着技术的进步，设备必须继续具有出色的性能和效率。尽管传统的多电平转换器 ( MLC ) 满足了这些需求，但它们仍然需要大量的电力电子开关和支持电路，并...

2022-07-29 标签：电容器转换器 SiC 871 0

碳化硅宽带隙半导体有什么好处

宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。

2022-07-29 标签：半导体 SiC 碳化硅 1924 0

宽带隙材料满足EV功率和效率要求

宽带隙器件可以是横向或纵向配置（见图 2）。漏极和栅极之间的距离越大，器件可以承受的击穿电压就越高。但是，如果我们将这个距离增加这么多，设备会在晶圆上占...

2022-07-29 标签：半导体 SiC 683 0

S-MOS单元技术提高了SiC MOSFET的效率

采用 SiC 作为功率器件材料的优点之一是能够使用许多众所周知的硅器件原理和制造程序。基本器件拓扑包括垂直肖特基二极管或垂直功率 MOSFET（在通过 ...

2022-07-29 标签：MOSFET MOS SiC 741 0

APEC 2022 上的电力电子：下一步是什么？

APEC是最重要的电力电子盛会之一。来自学术界和工业界的许多人有机会讨论了有关GaN 和 SiC的最新消息。在会议期间，我有机会与这么多专家交谈，并进一...

2022-07-30 标签：半导体 SiC APEC 2890 0

SiC VJFET的动态电路模型

JFET 是一种单极器件，具有两个串联的通道——横向通道和垂直通道。1200V SiC JFET采用SiCED/INFINION（TO220封装）制造，...

2022-07-29 标签：导通电阻 SCR SiC 662 0

通过基于SiC的改进的中性腿最小化EV充电器的二阶纹波和直流电容

太阳能光伏、风力涡轮机和储能系统具有三相逆变器，用作主动配电网络和分布式能源 (DER) 之间的接口。如今，具有更紧凑固态变压器 (SST) 的传统笨重...

2022-07-29 标签：充电器 SiC 三相逆变器 630 0

1,200V SiC MOSFET 提供更高的性能

英飞凌科技股份公司通过推出具有增强功能的 M1H 技术 1,200-V SiC MOSFET扩展了其CoolSiC产品组合。这些器件将采用 .XT ...

2022-07-29 标签：英飞凌半导体 SiC 1113 0

硅 MOSFET 的巨大优点及其变化

本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，看看电子世界是如何在短短几年内因...

2022-08-01 标签：MOSFET 半导体 SiC 1356 0

老化测试提高了 SiC 和 GaN 的可靠性

新型宽带隙半导体（如碳化硅和氮化镓）在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战，因为裸片尺寸越来越小，并且组件可以承受更高的电压和温度。老化试验箱...

2022-07-29 标签：SiC GaN 老化测试 2098 0

GaN Power HEMT > 650 V：与 SiC MOSFET 的参数分析和比较

在过去几年中，SiC MOSFET 在高压 (600V) 和大功率应用中占据主导地位。热导率、高临界场、大大提高的开关效率以及在其表面形成二氧化硅的能力...

2022-07-30 标签：半导体设计 SiC 3512 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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