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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科锐正在推进从硅(Si)向碳化硅(SiC)的产业转型。为了满足日益增长的对...
碳化硅,作为发展的最成熟的第三代半导体材料,其宽禁带,高临界击穿电场等优势,是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。
近年来,功率器件逐渐成为众人瞩目的“焦点”。比亚迪功率器件产品总监杨钦耀告诉《中国电子报》记者,功率器件是电力电子的“CPU”,是特高压电网、高速列车、...
根据此前的公告披露,三安光电拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶...
PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无...
SiC功率器件在新能源汽车应用中的关注度越来越高,电机驱动、车载充电机(OBC)、DC-DC等应用都需要高品质的SiC功率器件,也因此众多SiC功率器件...
PI于近期推出了专门适合此应用的一款反激式开关芯片InnoSwitch3-AQ,该芯片支持400V或者800V的母线供电。
由于材料限制,传统硅基功率器件在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本征极限,如电压阻断能力、正向导通压降、器件开关速度等,尤其在高频和高功率领域更显示出其局限性。
NTHL020N120SC1的设计旨在在1200V的阻断电压(VDSS)下提供极低的导通损耗。此外,它被设计为以低内部门极电阻(Rg =1.81Ω)和低...
ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时...
ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,单位面积的导通电阻降低了约40%
在这种背景下,ROHM于2010年在全球率先开始了SiC MOSFET的量产。ROHM很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容...
纬湃科技和罗姆携手打造SiC电源解决方案 进一步提高电力电子器件效率
通过使用SiC功率元器件,大陆集团旗下的Vitesco将能够进一步提高电动汽车用电力电子器件的效率。
国内首家!阳光推出车用全SiC电机控制器;美光上调第三季营收预期…
德州仪器公司已经取消了一些最受欢迎的计算器运行汇编或C语言编写的程序的能力,根据TI-Planet上发布的客户支持电子邮件(通过Linus Tech T...
英飞凌推出650V SiC MOSFET,低压SiC市场竞争激烈
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
任何电子产品都离不开电源,随着各个国家和地区能源标准的提升和用户环保意识的增强,对电源效率的要求越来越高。产业链内的公司和工程师们为了提升电源效率,减少...
据外媒报道,比利时Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模块(IPM),可用于电动出行。
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