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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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未来十年将是GaN和SiC功率半导体市场,将以18%速度增长
在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有...
德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI...
SiC和GaN作为新一代的半导体功率器件,由于其开关高速、高频工作和高温工作灯特点,受到了广大关注。随着铁路和工业设备应用增加,在2013年,这两款器件...
姆与大阪大学研究生院工学研究科助教细井卓治、京都大学研究生院工学研究科教授木本恒畅及东电电子合作试制出了新的SiC制MOSFET。特点是将透过栅极绝缘膜...
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:M...
2012年10月10日,德国纽必堡讯——英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。
三菱电机株式会社定于7月31日开始,依次提供5个品种的SiC功率半导体模块,以满足家电产品与工业设备对应用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...
德国英飞凌科技(Infineon Technologies AG)开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET(JFET)“Coo...
日本的SiC相关业务目前正在迅速增长。SiC与现有的硅(Si)相比可大幅削减电力损耗,因此作为新一代功率半导体材料备受关注。但此前,SiC功率元件在...
者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行业最高纪录,达到254 lm/W。该项纪录打破了科锐在去年初取得的2...
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采...
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。
罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于,与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压...
SiC,SiC是什么意思 SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C
2010-03-04 标签:SiC 6772 0
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