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Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性优势及典型应用
随着功率电子市场的发展,传统硅(Si)器件的性能已经接近了理论上的“天花板”,因此近年来以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带第三代半导体器...
来源:电气技术 清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室的研究人员朱义诚、赵争鸣、王旭东、施博辰,在2017年第12期《电工技术学报...
美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD产品,继续在碳化硅解决方案领域保持领先地位
美高森美参加在3月4日至8日在美国举办的APEC展览会,于1147号展位展示适用于恶劣环境的电源应用新器件。
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