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SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用及GAA结构中的作用
本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。 在现代半导体技术中，随着器件尺寸的不断缩小，传统的硅基材料逐渐难以满足高...
与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用...
在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于...
利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻 引言
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术...
大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然...
相对于基于传统锗硅（SiGe)的传感器技术，TI基于RFCMOS的雷达传感器引入了更高的数字和模拟集成度，以实现高输出功率、低功耗（比市面上现有解决方案...
本应用笔记介绍了硅锗如何增强RF应用中的IC性能。贾科莱托模型用于分析噪声效应。SiGe技术的更宽增益带宽表明可提供更低的噪声性能。探讨了SiGe对线性...
MAX2322为高性能SiGe接收器前端IC，优化用于PCS （1900MHz）频段CDMA（码分多址）应用。它包括一个LNA、一个混频器和一个可选频率...
从封装的角度来看，这些功率二极管一直使用传统的功率器件封装，例如DPAK和D2PAK、TO220和TO-247。但是，为了提高系统效率，更好地将器件的热...
SiGe整流器集肖特基整流器的效率与快速恢复二极管的热稳定性于一身，让工程师能够优化100-200V功率电路的设计，从而达到更高的效率。该器件面向汽车、...
文章来源：半导体与物理 原文作者：jjfly686 本文简单介绍了两种新型的选择性刻蚀技术——高氧化性气体的无等离子体刻蚀和原子层刻蚀。 全环绕栅极晶体...
引言 近年来，硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此，人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的不...
最近合作伙伴发布了基于SiGe HBT工艺的240GHz芯片，在这里给大家介绍一下参数和指标，针对应用会在文末给大家一些方向性参考。 雷达前端TRAˍ2...
来源：内容来自「驭势资本」，谢谢。 半导体封装基础 半导体制造工艺流程 半导体制造的工艺过程由晶圆制造（Wafer Fabr ication）、晶圆测试...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移动扬声器介绍
本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品——Nexperia的CFP封装SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移动系列扬声器。 1 产品...
在雷达应用这块， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷达，主用于ADAS。同时94GHz雷达应用也已成熟，用于恶劣天气，机场地面监测等。 同时最...
格芯（GLOBALFOUNDRIES）公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图，这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用...
美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）日前推出世界首款单晶片硅锗（SiGe）RF前端（FE）器件L...
据IEEE报道，来自IMEC的Hans Mertens研究小组，使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管，未来经过技术改进有可...
格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频技术，以促进下一代无线网络通信发展
格罗方德半导体（GlobalFoundries）于今日宣布针对硅锗（SiGe）高性能技术组合，推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| SE7351L-T | SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
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| SE7351L-AK3 | SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
获取价格
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| SE7265L-R | SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
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| SE7265L-EK1 | SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
获取价格
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|
| SE7262L-EK1 | SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc. |
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