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来源:内容来自「驭势资本」,谢谢。 半导体封装基础 半导体制造工艺流程 半导体制造的工艺过程由晶圆制造(Wafer Fabr ication)、晶圆测试...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移动扬声器介绍
本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品——Nexperia的CFP封装SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移动系列扬声器。 1 产品...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图,这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用...
美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)日前推出世界首款单晶片硅锗(SiGe)RF前端(FE)器件L...
据IEEE报道,来自IMEC的Hans Mertens研究小组,使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管,未来经过技术改进有可...
格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频技术,以促进下一代无线网络通信发展
格罗方德半导体(GlobalFoundries)于今日宣布针对硅锗(SiGe)高性能技术组合,推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方...
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)今日发布一个可取代十余个独立器件从而简化系统设计和生产工作的收发器产品线。由于功耗更低,...
众所週知,恩智浦半导体(NXP Semiconductors)是从荷兰皇家飞利浦(Philips)独立而出。而在歷经多年的发展转变后,今天的恩智浦,已经...
恩智浦半导体 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器(LNA),进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS(包括GLONASS和伽利略卫星定...
瑞萨电子推出新型SiGe:C异质接面晶体管NESG7030M04
瑞萨电子宣布推出新款 SiGe :C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、...
Maxim推出线性度最高的上/下变频SiGe混频器 Maxim推出业内性能最佳的完全集成、2300MHz至4000MHz SiGe无源混频器M...
SiGe全新高集成度前端模块为WLAN产品载入集成PA选择 SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布扩大其无线LAN和蓝牙(...
SiGe半导体推出带蓝牙端口的单芯片集成式前端模块 SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布扩大其无线LAN和蓝牙(Blue...
SiGe推出集成式前端模块SE2600S SiGe半导体公司 宣布扩大其无线LAN和蓝牙(Bluetooth™) 产品系列,推出带有蓝牙端...
SiGe前端Wi-Fi /蓝牙模组(SE2571U前端模组)
SiGe前端Wi-Fi /蓝牙模组(SE2571U前端模组)输出功率20dBm SiGe Semiconductor推出SE2571U前端模组,目标是...
2009-07-01 标签:SiGe 1053 0
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高RF应用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪声的影响。SiGe技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小...
2006-05-07 标签:SiGe 823 0
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