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SK海力士(Hynix)是一家源自韩国的半导体芯片制造商,主要生产DRAM和NAND闪存等存储芯片。它是全球最大的半导体公司之一,也是全球DRAM市场的领导者之一。
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然而,全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美光垄断,其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额,是Nvidia HBM3内存独家供应商,且已于今年...
SK海力士:HBM3E量产时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率
据报道,SK海力士宣布第五代高带宽存储(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
据路透社报道,得克萨斯州东区地方法院近日对美光公司与美国存储企业Netlist之间的专利诉讼作出判决,判定美光败诉并需支付总计4.45亿美元的赔偿款。
韩国26万亿韩元激励计划助力芯片业,力挺三星电子和SK海力士
该计划包括17万亿韩元的专项投资资金与税收优惠,比韩国财长崔相穆两周前提议的10万亿韩元高出近一倍。据悉,韩国将于六月敲定具体实施细则。
韩国砸26万亿韩元推动芯片产业,三星和SK海力士成为最大赢家
韩国发布价值逾26万亿韩元(合约190亿美元)的激励政策,旨在扶持芯片产业,尤其对三星电子及SK海力士等龙头企业意义重大,助其在竞争日趋激烈的市场环境下...
早在今年3月份,韩国媒体DealSite报道中指出,全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看,SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
SK海力士展示存储新品:固态硬盘和内存模组涵盖消费及企业市场
近日,SK海力士在北京召开的戴尔科技全球峰会上展示了旗下多个存储产品线中的新款,包括但不限于内存及固态硬盘等类别。
在DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归...
根据行业预估,三星和SK海力士有望在今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们在今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能会受到制约。
随着半导体行业的复苏,两大巨头三星电子和SK海力士纷纷加大了研发(R&D)费用与基础设施投资。据三星电子发布的最新季度报告,公司在2024年一季...
近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEO...
SK海力士旗下的代工子公司SK Key Foundry近日宣布了一项重要计划,该公司计划在7月于其位于忠清北道清州的8英寸晶圆厂开始生产电源管理芯片(P...
近日,三星和SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
三星电子HBM3E芯片验证仍在进行,与英伟达展开联合测试并取得阶段性成果
据行业观察者透露,三星HBM3E面临的问题源于台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准,而这与三星自身的生产方式有所出入,从而影响了产品的认证进程。
据了解,预计SK启方半导体最早将于7月份启动位于忠清北道清州的8英寸晶圆厂生产线,开始生产适配特斯拉电动车的电源管理芯片。
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从...
据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4...
SK海力士、三星电子:HBM内存供应充足,明年HBM4将量产
这类内存的售价远高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工艺的良率问题,对晶圆的消费量更是达到普通内存的 2-3 倍。因此,内存厂商需提高 HBM 产量...
SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产
值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c...
业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场...
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