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SK海力士(Hynix)是一家源自韩国的半导体芯片制造商,主要生产DRAM和NAND闪存等存储芯片。它是全球最大的半导体公司之一,也是全球DRAM市场的领导者之一。
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HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 H...
虽然 DDR3 逐渐沦为边缘化产品,但其在电视机顶盒、无线路由器、交换机以及显示器等设备中的应用仍然广泛。值得关注的是,全球第四大内存商美光虽尚未明确决...
在智能手机技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的闪存产...
韩国芯片巨头SK海力士旗下的晶圆代工子公司SK海力士系统集成电路,近日宣布了与中国企业无锡产业发展集团有限公司的重大合作。根据协议,SK海力士系统集成电...
半导体行业近日迎来重大消息,SK海力士系统IC决定将其无锡晶圆代工厂的部分股权出售给无锡产业发展集团公司。根据双方签署的协议,SK海力士将出售其持有的无...
具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。
根据公开文件及行业内人士透露,SK海力士系统IC近期达成协议,将其在无锡晶圆厂的21.3%股权以1.493亿美元价格售予无锡产业发展集团,交易预计将于今...
据报道,SK海力士系统IC近期已与无锡产业发展集团公司签订协议,将其在无锡晶圆厂21.3%的股权以1.493亿美元的价格转让,预计今年10月完成交易。
SK海力士系统集成电路自 2018年起独立运营,专注于8英寸晶圆成熟制程代工业务,涵盖汽车PMIC、电视DDI等多个领域。而无锡产业发展集团有限公司则是...
全球最大的三家DRAM制造商——三星电子、SK海力士以及美光,计划在今年三季度到明年逐步实现1cnm的量产。然而,1dnm工艺则排在1cnm之后,预计量...
SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Z...
SK海力士发布端侧AI移动NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
SK海力士进一步解释,ZUFS(Zoned Universal Flash Storage)是针对电子产品如数码相机、手机的通用闪存存储进行改良,以提升...
SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案,具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外,公司还强调,“借助此产品...
SK 海力士正在与东京电子(TEL)展开紧密合作,通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前,增加...
SK海力士CEO郭鲁正近日在公开场合表示,AI存储芯片的市场需求正在迅猛增长,预计至2025年的订单已接近饱和。他强调,虽然目前AI主要服务于数据中心,...
当前,3D NAND闪存在通过提高堆栈层数来增加容量上取得显著进展。然而,在这种趋势下,闪存颗粒中的垂直通道蚀刻变得愈发困难且速率减缓。
韩国知名芯片企业SK海力士(SK Hynix)近日发布了其2024年第一季度的业绩报告,展现出强劲的复苏势头。初步核实数据显示,该季度公司营业利润达到2...
SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基...
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