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SOI全称为Silicon-On-Insulator,即绝缘衬底上的硅,该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。
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中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估,SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元,2...
如何借助高均匀性的 SOI 优化衬底在 MEMS 中实现多种设计创新?
微机电系统 (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潜力的 CMOS 传感器与驱动器电子器件集成解决...
目前手机中应用最广泛的是半导体器件开关,如RF-SOI开关,pHEMT开关等。这些半导体开关的功能与普通的电气开关相同,符号表示也一致。
常规的绝缘层上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通过注氧隔离 (Separation by Implanted Oxygen,...
使用传统的硅-玻璃体系能够以各种方式制备微流控芯片,易于硅加工和表面修饰,并且有利于后续应用,例如细胞接种及相关研究。
1947 年 AT&T 贝尔实验室的科学家 John Bardeen、Walter Brattain 以及 William Shockley 发明世界上...
由现行SOI(Silicon on Insulator)晶圆与代工制造情形,可大致了解SOI变化趋势及重点地区,并借此探讨目前的发展现况与未来规划。
在许多人眼中,中科院院士、中科院上海微系统与信息技术研究所所长王曦既是一位具有全球视野的战略科学家,也是一位开拓创新而又务实的企业家。
上海新昇科技300mm硅片月产能突破25万 12吋SOI衬底实现自研
电子发烧友网报道(文/章鹰)2021年,全球半导体市场持续景气,中国集成电路迎来了良好的增长。根据国家统计局数据显示,1月到6月中国集成电路累计产量是1...
DB HiTek凭借RF SOI/HRS工艺拓展射频前端业务
DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。 射频前端...
ADI 推出采用先进绝缘硅片 (SOI) 技术的 44 GHz 单刀双掷 (SPDT) 开关产品 ADRF5024 和 ADRF5025。
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