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SOI全称为Silicon-On-Insulator,即绝缘衬底上的硅,该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。
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基于CVITEK_CV1810+SOI_K302P的IPC方案
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使用传统的硅-玻璃体系能够以各种方式制备微流控芯片,易于硅加工和表面修饰,并且有利于后续应用,例如细胞接种及相关研究。
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