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SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
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当然,并非所有的可编程逻辑技术都能很好地满足低功耗要求。事实上,当今市场某些所谓的“低功耗”器件的电流消耗高达30mA,这往往比对功率敏感的典型电池供电...
随着无铅技术在全球的推广,NV-SRAM成为NVRAM的普遍选择。本篇文章主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM(BBSRAM)技术相比较。 BBS...
对于特定的产品设计,关于铁电RAM为何比串行SRAM更好,有几个原因值得一提。以下各节将介绍其中的一些注意事项。 优越的频率和带宽 传统和ULE FRA...
FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。 富士通并行接口的8Mbit FRAM M...
当程序在S038的SRAM里运行,并且CPU主时钟设置为200M时,其CoreMark能够达到380分,已经达到或超过目前国际大厂Cortex-M4 M...
Microchip Technology扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4Mb
为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip Technology(微芯科技公司)扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4 Mb...
XL32F003单片机 M0+内核 主频48M,64 K flash加8K SRAM存储器
XL32F003是芯岭技术推出的一颗高性能单片机,搭配32位ARM Cortex-M0+内核,最高工作频率48 MHz。 芯片嵌入高达64 Kbytes...
旧版存储不再是使用寿命短的低端设备,因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以及呈指数增长的物联网...
PSRAM是一种存储技术,它通过DRAM单元来实现高密度存储并降低每存储位成本。PSRAM带有异步SRAM外部接口,可实现高效的系统设计。COSMORA...
为进一步鼓励全市广大职工和青少年开展群众性科技创新活动,充分激发广大职工和青少年的聪明才智,加快上海建设具有世界影响力的社会主义现代化国际大都市,上海市...
赛普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS异步快速快速SRAM,由256K字16位组成。通过断言芯片使能(CE)和写入使能(WE)输入LOW来执行...
ISSI自1999年以来,就一直为汽车市场提供支持。并在2001年ISSI成立了汽车业务部门,开始扩大对市场的支持。该业务部门的目的是在ISSI中提供跨...
MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器,使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他...
LQFP100封装 512K Flash 96K SRAM大资源单片机MH32F103AVET6介绍
MH32F103AVET6使用高性能的32位内核,内置了多达2个高级定时器、10个通用定时器、2个基本定时器、3个12位的ADC、2个12位的DAC,还...
三星成功开发新世代SRAM,也代表其处理器制程工艺进阶至10奈米的过程相当顺利,估计有望在2017年初进入全面量产,将使三星争抢处理器代工订单占得有利位置。
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