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SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
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传统上,有两种方法可以增加应用程序的ram: 使用更大的微控制器(MCU):如果必须购买更大、更昂贵的MCU以获得更多RAM,则此选项的吸引力较小 使用...
NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一种独立的非易失性存储器,业界最快的 NV-SRAM,具有无限的耐用性。能够在断电时立即捕获 SRA...
串行SRAM是一种独立的易失性存储器,它提供了一种简单且便宜的方式来为您的应用程序添加更多RAM。这些8引脚低功耗、高性能SRAM器件具有无限的耐用性和...
静态数据随机存储器存储器(SRAM)是指这类存储器要是维持接电源,里边存储的数据信息就可以恒常维持。SRAM不用更新电源电路即能储存它內部储存的数据信息...
铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快...
Microchip模拟嵌入式SuperFlash®技术助力存算一体创新企业成功解决边缘语音处理难题
SuperFlash memBrain™存储器解决方案使知存科技片上系统(SoC)能够满足最苛刻的神经处理成本、功耗和性能要求。
物联网及穿戴设备还未出世前,Serial SRAM的利润并不能吸引主流到SRAM厂商的关注。随着串行SRAM的商机不断增多,传统的SRAM厂商进军串行S...
用于替换IS62WV51216EBLL-45TLI的国产SRAM芯片
IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。 采用高性能CMOS工艺制...
根据组成元件的不同,ROM内存可以分类为掩模型只读存储器(MASK ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EEPROM)、电可擦...
FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。 富士通并行接口的8Mbit FRAM M...
快速异步型SRAM,存取时间为35ns(或更短)的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。 国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容...
EMI502NL16LM可替代IS61WV12816DBLL
SRAM是随机存取存储器的一种。这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 ...
2021-12-24 标签:sram 910 0
低功耗SRAM存储器应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品,作为静态随机访问存储器的一种类别,静态随机访问存储器(SRAM)作为最重要的半导体存储器,广...
ST内核M3的32位MCU产品STM32F1xxx这一系列的MCU内置 SRAM 资源非常有限,在应用中如果遇到数据需要扩容的情况下,需要外...
世界上最早的全电子化存储器是1947年诞生的,其原理是用阴极射线管在屏幕表面上留下记录数据的“点”。从那时起,计算机内存开始使用磁存储技术并经历了数代演...
自2016年智能穿戴新兴行业的崛起及火爆程度,一度将所有有关于智能穿戴产品中的零件推进了新的高潮.其中便包含了SRAM.在所有可用的存储器中,SRAM是...
静态存储SRAM芯片包含业界多样的异步低功耗SRAM。而带有ECC的异步SRAM适用于各种要求最高可靠性和性能标准的工业,医疗,商业,汽车和军事应用。快...
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