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SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
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进入最近几年,每当我们引入一个新的先进工艺节点,大家都把绝大多数注意力集中在光刻更新上。引用的常用指标是每平方毫米的晶体管或(高密度)SRAM位...
SoC有基于应用程序的内存。这些存储器是用于计算的半导体存储器块。半导体存储器通常是指在单个硅片上制造的金属氧化物半导体存储器单元。内存类型包括: 易失...
EEPROM和FLASH在大多数应用场合中均无法替代SRAM
随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。 众所周知,普通SRAM在电源掉电后,其中的数据随即消失,再次加电后,存储器中的数据为随机数...
MRAM即磁阻式随机访问存储器的简称。经过10多年不间断的研发,全球第一款正式量产并供货的MRAM芯片型号为MR2A16A,它采用44脚的TSOP封装,...
如若某一天,某种通用存储器或杀手级存储器将能够同时替代SRAM,DRAM和闪存。在可预见的未来,虽然下一代存储技术仍然不能完全取代传统存储器,但它们可以...
NV-SRAM将成为写日记应用程序的理想非易失性存储解决方案
RAID存储系统概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson,Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期...
随着无铅技术在全球的推广,NV-SRAM成为NVRAM的普遍选择。本篇文章主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM(BBSRAM)技术相比较。 BBS...
详细介绍NV-SRAM与电池供电SRAM(BBSRAM)相比所具有的优点
随着无铅技术在全球的推广,NV-SRAM成为NVRAM的普遍选择。本篇文章主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM(BBSRAM)相比所具有的优点。 ...
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元(访问时间高达20 ns)与基于硅氧化物和亚硝酸盐,氧化物硅(SONOS)的非易失性存储元件相结合,可提供...
STM32F103ZET6属于STM32F103xE增强型系列,工作频率为72MHz,内置高速存储器(高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM) ,...
随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注。这类芯片对性能和功耗要求苛刻。静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成...
旧版存储不再是使用寿命短的低端设备,因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以及呈指数增长的物联网...
Cypress 16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns
Cypress 16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns。异步SRAM内含l亿多个晶体管﹐采用6个晶体管存储单元﹐是该公司4兆字节快速异步SR...
读取优先和SRAM-MRAM混合结构,几个混合结构的管理策略
MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成...
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