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SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
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静态SRAM芯片是由晶体管组成。SRAM的速度非常快,通常能以20ns或更快的速度工作。静态ram中所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存...
赛普拉斯半导体公司和瑞萨电子公司在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。
意法半导体新推出的STM32L4+微控制器极具性价比,集成最低的存储容量512KB的闪存和320KB的SRAM,提供紧凑的10mmx10mm64引脚和7...
易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾,上期我们回顾了非易失性存储器的发展史,本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开...
赛普拉斯(Cypress)宣布Altera旗下的28奈米Stratix V GX现场可编程闸阵列(FPGA)开发套件,选用赛普拉斯QDR II(Quad...
低功耗SRAM存储器应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品,作为静态随机访问存储器的一种类别,静态随机访问存储器(SRAM)作为最重要的半导体存储器,广...
ST内核M3的32位MCU产品STM32F1xxx这一系列的MCU内置 SRAM 资源非常有限,在应用中如果遇到数据需要扩容的情况下,需要外...
ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM,这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32MbSRAM在汽车A3温度范围(...
本文核心思想: 美国微芯科技公司(Microchip)宣布,首次推出四款业内容量最大、速度最快的新器件,扩展了其串行SRAM产品组合。这些器件是业内首批...
台积电在今年早些时候正式推出其 N3 制造技术时表示,与其 N5(5 纳米级)工艺相比,新节点的逻辑密度将提高 1.6 倍和 1.7 倍。它没有透露的是...
PLD可编程器件的发展方向是高密度、高速度、低功耗。随着PLD的设计规模越来越大,电子设计自动化(EDA)已经成为其主要设计手段。
安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新的高分辨率音频处理系统级芯片(SoC),具有1656KB 静态随机存储器(SRAM)和高电源能效...
ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一种非常高速且低功耗的128X8位CMOS静态SRAM。该产品使用ISSI的高性能CMOS技术制造。...
联华电子携手智原已经完成并交付3亿逻辑门(300-million gate count)系统单芯片解决方案。此款3亿逻辑门SoC是采用联华电子40nm工...
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