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SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
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1Mbit国产SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介绍
伟凌创芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先进的全CMOS工艺技术制造,位宽64Kx 16位,电源电压为2.7V~3.6V,支持三态输出和T...
SRAM存储芯片即是静态随机存取存储器。它具有静止存取功能的存储器芯片,它不需要刷新电路便能保存它内部存储的所有数据。 SRAM存储芯片主要应用于需要缓...
国产星忆高速异步X型随机存储芯片XM8A01M16V33A功能上等效于异步SRAM
XRAM是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了...
智融科技SW2505H、SW3566H、SW2325通过UFCS融合快充功能认证
近日,智融科技新款芯片产品SW2505H成功获得了融合快速充电功能认证证书,证书编号0302347161910R0M-UFCS00075。此款产品是继智...
瑞萨电子开发了一种新的内存处理器 (PIM) 技术,用于在低功耗边缘设备中加速 AI 推理。用于基于 SRAM 技术的测试芯片实现了 8.8 TOPS/...
SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则就会出现内部数据会消失,因此SRA...
一年一度的“国际固态电路会议”(ISSCC)将在明年2月举行,几乎所有重要的晶片研发成果都将首度在此公开发布,让业界得以一窥即将面世的最新技术及其发展趋势。
国产SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL
SRAM是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRA...
ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速异步SRAM,4,194,304位静态RAM,组...
AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1标准认证,即通过了一系列专为确保汽车应用中半导体器件的质量、可靠性和耐久性的临界压力
ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一种高速SRAM芯片,位宽256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可...
物联网及穿戴设备还未出世前,Serial SRAM的利润并不能吸引主流到SRAM厂商的关注。随着串行SRAM的商机不断增多,传统的SRAM厂商进军串行S...
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