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SST26VF064B/064B显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。这些设备使用2.7-3.6V的单电源进行写入(编程或擦除)。消耗的总能量是施加电压、电流和施加时间的函数。
SST26VF064B/064B显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。这些设备使用2.7-3.6V的单电源进行写入(编程或擦除)。消耗的总能量是施加电压、电流和施加时间的函数。由于对于任何给定的电压范围,SuperFlash技术使用的编程电流更小,擦除时间更短,因此在任何擦除或编程操作中消耗的总能量都是零而不是替代闪存技术。SST26VF064B/064B提供8触点WSON(6毫米x 5毫米)、8引线SOIC(200密耳)、16引线SOIC(300密耳)和24球TBGA。
SST26VF064B/SST26VF064BA原文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)立即下载
类别:IC datasheet pdf 2017-10-30 标签:闪存SST26VF064B 2427 0
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