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东芝集团理念体系是东芝集团持续发展的根基,也是-切企业行为的基础。东芝集团理念体系由三个要素组成:东芝集团经营理念、我们存 在的意义和我们的价值观。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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RN1104MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM |
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RN2106MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM |
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RN1103MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM |
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RN2107MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM |
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RN2104MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM |
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RN2103MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM |
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RN1107MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM |
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RN1105MFV,L3XHF(CT | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM |
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1SS301,LF | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM |
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1SS322(TE85L,F) | 二极管 40 V 100mA 表面贴装型 USM |
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TLP525G(F | 可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.15V;正向电流:50mA;断态峰值电压(Vdrm):400V;静态dv/dt:500V/us;输出电流(It(rms)):100mA; |
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TMPM366FYXBG | ARM® Cortex®-M3 TX03 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 256KB(256K x 8) 闪存 109-TFBGA(9x9) |
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TMPM361F10FG(C,J) | ARM® Cortex®-M3 TX03 微控制器 IC 32 位单核 64MHz 1MB(1M x 8) 闪存 100-LQFP(14x14) |
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TMP91FW27UG(C,JZ) | IC MCU 16BIT 128KB FLASH 64LQFP |
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TLP781F(GR-TP7,F) | PHOTOCOUPLER |
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TLP781F(GB-TP7,F) | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4GRH-TP6,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4-BL-LF6,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781F(D4-Y-FD,F) | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4-GB-LF6,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781F(Y-LF7,F) | PHOTOCOUPLER |
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TLP781F(D4GB-TP7,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4-TP6,F) | PHOTOCOUPLER |
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TLP781F(D4-FUNGB,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4GRT6-FD,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4GRT6-SD,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4-GRH,F) | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4GRL-TP6,F | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(Y-LF6,F) | PHOTOCOUPLER |
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TLP781(D4-GB-TP6,F | PHOTOCOUPLER |
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