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TPIC6B596 是一款单片、高压、中等电流功率的 8 位移位寄存器,设计用于需要相对较高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位,用于电感瞬态保护。
TPIC6B596用于增强级联的 8 位移位寄存器
TPIC6B596 是一款单片、高压、中等电流功率的 8 位移位寄存器,设计用于需要相对较高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位,用于电感瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高压负载。
该器件包含一个 8 位串行输入、并行输出移位寄存器,它为 8 位 D 型存储寄存器提供数据。数据分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿通过移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清除 (SRCLR)\ 为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲区。当 SRCLR\ 为低电平时,设备中的所有寄存器都被清除。当输出使能 (G)\ 保持高电平时,输出缓冲器中的所有数据都保持低电平并且所有漏极输出都关闭。当 G\ 保持低电平时,来自存储寄存器的数据对输出缓冲区是透明的。当输出缓冲器中的数据为低时,DMOS 晶体管输出关闭。当数据为高电平时,DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿输出器件,为级联应用提供额外的保持时间。这将为时钟信号可能出现偏差、设备彼此不靠近或系统必须耐受电磁干扰的应用提供更好的性能。
输出是具有 50V 输出额定值和 150mA 连续灌电流能力的低侧开漏 DMOS 晶体管。每个输出在 T C = 25°C时提供 500mA 的典型电流限制。电流限制随着结温升高而降低,以提供额外的器件保护。
TPIC6B596 的特点是可在 -40°C 至 125°C 的工作外壳温度范围内工作。
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