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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通过硅通孔(TSV)铜互连的立体(3D)垂直整合,目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔(TSV)是三维叠层硅器件技术的最新进展。
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在“NEPCON日本2013”的技术研讨会上,英特尔和高通分别就有望在新一代移动SoC(系统级芯片)领域实现实用的 TSV(硅通孔)三维封装技术发表了演...
Littelfuse推出新款TSV阵列SP1005-01ETG
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse新推出两款0402规格产品,可为现代集成电路(IC)提供更有效的静电放电(ESD)保护,进一步扩展了其SP...
2012-12-11 标签:电源芯片TSVLittelfuse 1790 0
GlobalFoundries 已开始在纽约的 Fab 8 厂房中安装硅穿孔(TSV)设备。如果一切顺利,该公司希望在2013下半年开始採用 20n...
2012-05-01 标签:TSV硅穿孔GlobalFoundries 1192 0
在日本,硅通孔(TSV:Through Silicon Via)技术从10多年前开始就备受业界关注。比如,日本超尖端电子技术开发机构(ASET)从1...
TSV3DIC技术虽早于2002年由IBM所提出,然而,在前后段IC制造技术水准皆尚未成熟情况下,TSV3DIC技术发展速度可说是相当缓慢,DIGITI...
2011年,半导体封装业界的热门话题是采用TSV(硅通孔)的三维封装技术。虽然TSV技术此前已在CMOS图像传感器等产品上实用化,但始终未在存储器及逻辑...
意法半导体率先将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产。在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内,硅通孔技术以垂直短线方式取代传...
高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本...
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