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标签 > VDMOS
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在过去的二十年间,MOSFET作为开关器件发展迅速。然而,由于MOSFET的通态功耗较高,导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限,被称为“硅极限”。为了突...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件,...
Vdmos(垂直双扩散金属氧化物半导体)和MOS(金属氧化物半导体)是两种不同类型的半导体器件,它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构...
平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择?
平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择? 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)...
目前市场上使用较多的主要是N沟道增强型VDMOS产品,其也是目前各半导体公司开发生产的主流功率MOSFET产品。
2011-12-02 标签:VDMOS 4657 0
直流无刷电机的逆变器由六个功率VDMOS管和六个续流二极管组成,六个续流二极管分别寄生在这六个VDMOS管里,因而从控制器外面看只有六个VDMOS管。
一种减少VDMOS寄生电容的新结构 0 引 言 VDMOS与双极晶体管相比,它的开关速度快,开关损耗小,输入电阻高...
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