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标签 > VDMOS

VDMOS

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vdmos技术

Cool-MOS的定义、优势及实际应用问题分析

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对于常规VDMOS 器件结构, Rdson 与BV 这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI 参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EP...

2017-11-29 标签:vdmoscoolmos 9323 0

RC-IGBT电压折回现象产生机理及改进结构介绍

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IGBT同时集MOSFET易驱动和BJT大电流两个显著特点于一身,因此在新能源、高铁、智能电网、电动汽车这些绿色产业中成为不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 标签:MOSFETVDMOSIGBT 2703 0

金属封装功率器件管壳镀金层腐蚀机理研究

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金属封装形式的氧化物半导体场效应晶体管( VDMOS ), 在经历筛选试验后,管壳表面的金属层出现了腐蚀形貌, 通过显微镜观察、 扫描电镜、 EDS 能...

2024-06-20 标签:VDMOS封装功率器件 1578 1

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2023-11-23 标签:MOSFET示波器VDMOS 1128 0

vdmos和mos有什么区别

Vdmos(垂直双扩散金属氧化物半导体)和MOS(金属氧化物半导体)是两种不同类型的半导体器件,它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构...

2024-09-29 标签:半导体VDMOS晶体管 715 0

vdmos是什么型器件

VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件,...

2024-09-29 标签:电流VDMOS半导体器件 553 0

VDMOS器件关键参数介绍

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如图1所示,VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区,在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道,在栅极加压后沟道开启,电流在沟道内...

2024-10-08 标签:二极管VDMOS栅极 543 0

VDMOS技术概述和特点

在过去的二十年间,MOSFET作为开关器件发展迅速。然而,由于MOSFET的通态功耗较高,导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限,被称为“硅极限”。为了突...

2024-10-15 标签:MOSFET半导体VDMOS 343 0

超结结构工艺实现方式

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在过去的二十年,MOSFET主要用作开关器件,得到了长足的发展,由于它是多子器件,有相对较小的开关损耗,但其通态功耗较高,要降低通态功耗,导通电阻受击穿...

2024-10-15 标签:MOSFET半导体VDMOS 263 0

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vdmos资讯

LDMOS和VDMOS

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DMOS主要有两种类型,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET。

2011-12-01 标签:VDMOSLDMOS 3.7万 0

大功率VDMOS(200V)的设计研究

大功率VDMOS(200V)的设计研究

本文分别从管芯的静态参数设计方面,介绍了VMDOS(200 V)设计的方法以及仿真的结果,并对流片结果进行了比较。

2011-12-20 标签:VDMOS 4896 0

优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

目前市场上使用较多的主要是N沟道增强型VDMOS产品,其也是目前各半导体公司开发生产的主流功率MOSFET产品。

2011-12-02 标签:VDMOS 4662 0

200V/100A的VDMOS器件开发

200V/100A的VDMOS器件开发

详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明,该器件反向击穿特性良好

2011-12-02 标签:VDMOS 3310 0

功率直流无刷电机的控制器VDMOS正确使用

直流无刷电机的逆变器由六个功率VDMOS管和六个续流二极管组成,六个续流二极管分别寄生在这六个VDMOS管里,因而从控制器外面看只有六个VDMOS管。

2011-12-02 标签:VDMOS直流无刷电机 2518 0

一种减少VDMOS寄生电容的新结构

一种减少VDMOS寄生电容的新结构     0 引 言    VDMOS与双...

2010-01-11 标签:电容VDMOS 1547 0

平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择?

平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择? 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)...

2023-11-24 标签:VDMOS场效应管 1346 0

一种减少VDMOS寄生电容的新结构

一种减少VDMOS寄生电容的新结构 0 引 言    VDMOS与双极晶体管相比,它的开关速度快,开关损耗小,输入电阻高...

2009-11-25 标签:电容VDMOS 1124 0

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