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Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军,支持培养下一代汽车设计师
Vishay为车队今年参赛车型DRe20提供位置传感器,该传感器采用Vishay Sfernice Model 981 HE系列非接触式霍尔效应技术。
Vishay推出小型1500外形尺寸新型通孔电感器,饱和电流达420A
器件专门用来取代体积较大的解决方案,可在+155 °C高温下连续工作,适用于再生能源、工业和通信应用。
Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100V汽车级P沟道MOSFET
业内首款采用鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,导通电阻仅为30 mΩ。
Vishay推出600V EF系列快速体二极管MOSFET,导通电阻比其前代器件低29%
Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。
Vishay推出业界首款表面贴装,经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管
器件适用于小信号探测,符合AEC-Q101标准,不透明封装信噪比优异,几乎无段间公差。
Vishay高精度位置传感器荣获《电子发烧友》2020年度中国IoT创新奖
60 mm版RAMK060采用先进的非接触式技术,精度大于13位,分辨率达19位,重复精度大于16位,可以抵抗外部磁场、湿度、大气污染、振动、机械冲击和...
Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET--- SQJ264EP
SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 mW,典型栅极电荷为9.2 nC,而通道2 MOSFET在10 V时的导通电阻为8...
Vishay荣获BISinfotech颁发的2020年度BETA奖
Vishay 公司被评为全球分立半导体与无源元件解决方案年度供应商
Vishay推出低阻抗、汽车级小型铝电解电容器-190 RTL系列
Vishay BCcomponents 190 RTL系列电容器阻抗低于上一代解决方案,纹波电流提高10 %至15 %,设计人员可使用更少的元器件,从而...
Vishay新型宽带Microwave Global Models™ 最高可在70 GHz频率下使用
Modelithics基于测量的模型具有元件值、衬底和焊盘扩展能力。经验证频率可达67 GHz,可根据模型参数设置准确预测寄生效应,非常适合高频应用。
Vishay VEML3328和VEML3328SL RGBC-IR传感器荣获2020 AspenCore全球电子成就奖
VEML3328和VEML3328SL将光电二极管、放大器和模/数电路集成在单片CMOS中,可检测红光、绿光、蓝光、白光和红外光。
2020年11月16日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出两款分辨率高达20 m,适用于各种压力...
Vishay推出新型汽车级接近传感器,压力感测分辨率高达20 µm
日前发布的器件经过AEC-Q101认证,适用于汽车、消费电子、智能家居、工业、办公和玩具产品,与前代传感器相比,提高了分辨率并降低成本。
Vishay Asia荣获北京西门子西伯乐斯电子有限公司2020年度供应商最佳支持奖
在BSCE举行的2020年度供应商大会颁奖仪式上,三家杰出供应商被授予最佳支持奖,该奖项的评审依据是物流及采购表现。
Vishay推出小型铝电容器,可提高系统设计灵活性,并节省电路板空间
汽车级器件纹波电流高达3.8 A,可在+105 °C高温下工作,105°C条件下使用寿命长达10,000小时。
Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率
节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装,最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m,Qg为6.5 nC
Vishay推出新款高饱和电流电感,提高系统饱和及温度稳定性
径向固定IHVR-4024KE-51电感器采用4024外形尺寸超薄封装,DCR比一般功率电感器低50 %,同时节省电路板空间
Vishay推出NTC热敏电阻,采用加长PEEK绝缘镍铁引线实现快速、高精度测量
器件符合AEC-Q200标准,适用于汽车和工业应用,精度达到± 0.5 °C,空气中响应时间小于3秒
Vishay推出汽车级PIN光电二极管,高度低至0.7 mm,提高信噪比
日前发布的光电二极管经过 AEC-Q101 认证,适合各种应用进行光探测,包括阳光负载传感器,车用雨量、日光和隧道传感器,电梯、车库门、工业设备光幕,...
Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源
TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²
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