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标签 > 单晶
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由于GaN在高温生长时N的离解压很高,很难得到大尺寸的GaN单晶材料,因此,为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人员经过几十年的不...
外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲,外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造,...
摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切...
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单...
单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料为单晶NCM正极构建稳定结构和界面
单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料因其高放电容量和良好的电化学性能而受到广泛关注,然而,单晶材料在高压下循环会发生严重的晶格畸变和电极/...
上海合晶登陆科创板,成为我国少数具备全流程半导体生产能力的企业
上海合晶此次募资总额高达13.9亿元人民币,这笔款项主要用于投资低阻单晶成长及优质外延研发项目,增设优质外延片研发及产业化项目,以及补充运营所需的流动资...
中来股份发布投资进展公告:一期8GW高效单晶电池智能工厂已投建
据了解,去年5月22日,中来股份的子公司——山西中来光能就曾与山西转型综合改革示范区管理委会签订投资协议,欲斥资约56亿元在山西投建年产16GW高效单晶...
海纳半导体(山西)有限公司半导体硅单晶生产基地工程总投资5.46亿元,占地约133.85亩,建筑面积约8.97万平方米。利用海纳的自主技术,引进120套...
英特格总裁兼首席执行官(ceo)Bertrand Loy表示:“英特格在具有挑战性的产业环境中,也取得了稳定的季度业绩和执行成果。我们的收益预期下降了1...
据科创包头透露,该计划将在包头、北京科创基地合作引进计划落地包头市青山区装备制造产业园区总投资34.57亿韩元。建设总事业建设周期将在3年正式启动时,每...
报道称,最近德国马克思普朗克固体研究所的科学家帕斯卡-普帕尔(pascal puphal)提交了事前印刷本论文。该论文成功合成了lk-99单晶,实验结果...
2021年8月,全球先进材料集团Haydale宣布与空客公司共享一系列可防止雷击的石墨烯增强预浸料的知识产权,空客公司为该技术提交了联合专利申请。与现有...
为了制备单晶正极,将3 μm大小的氢氧化物前驱体粉末与LiOH均匀混合,并分别在850、900和950℃下煅烧10小时以获得S-NCM90、S-NCM8...
本文通过导模法制备了4英寸β-Ga2O3单晶,晶体外形完整,通过劳厄衍射、高分辨X射线摇摆曲线 分析确认晶体结晶质量较高。采用湿法刻蚀的方法,研究了晶体...
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