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标签 > 基本半导体

基本半导体

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深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。

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基本半导体动态

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基本半导体简介

  深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。

  基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试,其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

  基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是深圳第三代半导体研究院发起单位之一,广东省未来通信高端器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心,公司及产品荣获2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。

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基本半导体技术

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可靠性,是指产品在规定时间内和条件下完成规定功能的能力,是产品质量的重要指标,如果在规定时间内和条件下产品失去了规定的功能,则称之为产品失效或出现了故障...

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2023-06-01 标签:新能源汽车IGBT电机控制器 894 0

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基本半导体资讯

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2024-07-08 标签:碳化硅汽车动力系统基本半导体 534 0

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基本半导体数据手册

型号 描述 数据手册 参考价格
B1D08065E 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):21A;正向压降(Vf):1.45V@8A;
B1D04065F
B1D20120H 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):70A;正向压降(Vf):1.46V@20A;反向电流(Ir):6.75uA@1.2kV;
B1D10065KF 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):24A;正向压降(Vf):1.48V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V;
B1D10065E 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):29A;正向压降(Vf):1.44V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V;

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