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威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究,凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管、模块以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖传统硅基及第三代化合物半导体SiC和GaN,并广泛应用于消费类电源、汽车电子、电机驱动、工业电源、通信等
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2022-08-05 标签: IGBT 1228 0
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深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012年,总部位于深圳市南山智园崇文园区,在珠海、上海、天津、香港、韩国水原等地设有研发中心及办事处,是国家级高新技术企业和国家级专精特新“小巨人”企业。
自成立以来,威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究,凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管、模块以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖传统硅基及第三代化合物半导体SiC和GaN,并广泛应用于消费类电源、汽车电子、电机驱动、工业电源、通信等领域。
威兆半导体一直坚定不移地提升研发技术、供应链技术整合、品质管控、技术行销等综合能力,坚持以卓越的质量和持续的技术创新为客户创造价值,打造一流功率半导体价值运营体系,服务全球一流价值客户。
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